[发明专利]草酸亚锡中性络合法制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710060167.7 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101219860A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 靳正国;刘同军;王涛;冯丽蕊 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 草酸 中性 络合 法制 纳米 氧化 导电 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种草酸亚锡中性络合法制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法，制备步骤如下：
(1)在搅拌条件下，将1.25g SnC2O4加入8-12ml 1.1M C6H8O7水溶液中，形成悬浮体系，缓慢滴加三乙醇胺(TEA)8-12ml至澄清溶液，pH＝6.5-7，然后加入0.0067g SbCl3以引入掺杂离子。
(2)将清洗后的普通玻璃片浸渍于前驱体溶胶中，提拉并充分干燥后于450-500℃下热处理10min，重复15-30次，得到具有规定厚度和导电性的纳米晶SnO2基薄膜。
2.根据权利要求1的制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)的1.1M C6H8O7水溶液为8ml。
3.根据权利要求1的制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)的热处理温度为450℃。
4.根据权利要求1的制备纳米二氧化锡基导电薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)的提拉速度为3cm/min。
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