[发明专利]有源神经微电极的专用信号调理控制芯片无效
申请号: | 200710061399.4 | 申请日: | 2007-10-10 |
公开(公告)号: | CN101248993A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 李醒飞;钟莹;李洪宇;孙斐;韩雪;王盼 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | A61B5/0478 | 分类号: | A61B5/0478 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 神经 微电极 专用 信号 调理 控制 芯片 | ||
1、有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,包括:高通滤波模块,偏置电路,放大电路,反馈网络,门控开关,多路选择器,模式识别模块,各个功能模块之间顺序串联。
2、根据权利要求1所述有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,其特征在于,所述高通滤波模块是由放大器前端的一个输入负载,铂铱合金测点与电解液面双电层所形成的电容构成;所述输入负载阻值大于30MΩ;所述输入负载采用了MOS管结构。
3、根据权利要求1所述有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,其特征在于,所述高通滤波模块包括:两级电流镜,一个亚阈值状态的mos管;
第一级电流镜:P沟道无源电流镜结构,共栅共源连接,缩小比例20倍;
第二级电流镜:N沟道无源电流镜结构,共栅共源连接,缩小比例20倍。
4、根据权利要求1所述有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,其特征在于,所述偏置电路采用MOS管源跟随器实现;nmos管1和pmos管2组成的分压式基准电压结构电流源,向由pmos管3和pmos管4组成无源电流镜结构的电流镜提供电流,电流镜将此电流镜像到由nmos管5和pmos管6,使两管均处在饱和导通状态,组成源跟随器的结构。
5、根据权利要求1所述有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,其特征在于,所述放大电路采用两级放大结构,具有约80dB的共模抑制比,高达20g欧姆的输入阻抗,相位裕度约为65度。
6、根据权利要求1所述有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,其特征在于,所述反馈网络采用电阻网络结构,闭环增益达40dB。
7、根据权利要求1所述有源神经微电极的专用信号调理控制芯片,其特征在于,所述模式识别模块包括:顺序串联的反向器和与非门。
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