[发明专利]高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线制造方法有效
申请号: | 200710062271.X | 申请日: | 2007-07-10 |
公开(公告)号: | CN101083359A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 牛传峰;杨可忠;杨兵;阮云国;冯贞国;毛贵海;耿京朝 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
主分类号: | H01Q21/24 | 分类号: | H01Q21/24;H01Q13/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 050081河北省石家*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增益 双线 极化 波导 阵列 天线 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及通信广播及测控领域中的一种高增益双线极化或双 圆极化波导阵列天线制造方法,特别适用于工作在双线极化或双圆极 化应用情况下的各种卫星通信或单收站天线的制造。
背景技术
通常电视直播卫星或通信广播卫星都工作在双线极化或双圆极 化状态,而目前使用的平板阵列天线大都工作在单线极化或单圆极化 状态,为完成双极化的接收一般采取两种办法完成:
一是采用机械控制的方法,即天线平常处于接收水平方向极化状 态,当需要接收垂直方向极化时,天线利用旋转机构人工或电动转动 90度。它的不足之处在于结构复杂,需要控制和转动机构,而且双 极化不能同时兼容。
二是用两副天线分别接收两种极化信号,根据需要采用电子开关 切换极化状态。它的不足之处在于天线占用体积大,成本高,等效口 面效率低。
中国专利号为02805774.0、名称为《波导缝隙天线及其制造方 法》专利中公开了一种波导缝隙天线,中国专利号为200520110435.8、 名称为《高增益波导喇叭阵列平板天线》专利中公开了一种高增益波 导喇叭阵列平板天线,这两种天线均具有高增益的特性,但这两种天 线存在共同的不足之处:①辐射喇叭口、天线腔体、辐射缝隙均为导 管结构,只能激励起单个极化的电磁信号;②两专利均只有一层馈电 线路,每层只能传输一个极化的电磁信号,双圆极化与双线极化均不 能同时传输,天线只能单线极化工作。
PCT中分类号(International patent classification)H01Q /13/10,21/00题目为DUAL POLARIZED SLOTTED ARRAY ANTENNA专 利,它采用两种单极化波导缝隙天线组阵的形式,天线存在分层结构 复杂,口面利用效率低等缺点。
发明内容
本发明的目的在于避免上述背景技术中的不足之处而提供一种 采用正方形或圆形波导谐振腔馈电方式,能进行双极化电磁信号辐射 的高增益双线极化或双圆极化波导阵列天线制造方法。本发明还具有 当天线需要工作在圆极化时,可以增加圆极化器,实现双圆极化辐射, 且馈电效率高、结构紧凑、低加工成本等特点。
本发明的目的是这样实现的,包括步骤:
①根据工作频率设计辐射层1,辐射层1根据天线增益的要求 设计M×N个辐射单元11的阵列辐射口面,M或N为大于1的自然 数,在每个辐射单元11上表面设计1至16个辐射口12,每个辐射 单元11下表面设计谐振腔体13,辐射口12与谐振腔体13之间设计 第一耦合通孔14;
②根据电磁耦合和波导传输线的原理设计水平极化或圆极化 馈电波导层2,在水平极化或圆极化馈电波导层2上表面设计第二耦 合通孔21,第二耦合通孔21与辐射层1下表面的谐振腔体13相对 应,第二耦合通孔21下方设计波导孔22,第二耦合通孔21与波导 孔22之间对应连接,水平极化或圆极化馈电波导层2下表面设计第 一波导凹槽23,波导孔22侧壁上设计第三耦合通孔24,耦合波导馈 电网络的水平极化信号,第三耦合通孔24与第一波导凹槽23相连接, 第一波导凹槽23的弯角处设计过渡台阶25,波导孔22的另外侧壁 设计水平耦合探针26、垂直耦合探针27,水平耦合探针26、垂直耦 合探针27耦合微带线馈电网络、或带状线馈电网络的水平极化与垂 直极化信号;
③根据电磁耦合和波导传输线的原理设计垂直极化馈电波导 层3,在垂直极化馈电波导层3的上表面设计第二波导凹槽31,垂直 极化馈电波导层3下表面设计第三波导凹槽32,第二波导凹槽31与 水平极化或圆极化馈电波导层2下表面的第一波导凹槽23相对应, 第二波导凹槽31的末端设计耦合孔35,耦合孔35与水平极化或圆 极化馈电波导层2下表面设计的波导孔22相对应,第三波导凹槽32 末端设计耦合孔33,耦合孔33与耦合孔35之间设计过渡台阶34, 第三波导凹槽32的弯角处设计过渡台阶36;
④根据电磁耦合和波导传输线的原理设计垂直极化馈电波导 盖板4,在垂直极化馈电波导盖板4上表面设计第四第四波导凹槽41, 第四波导凹槽41与垂直极化馈电波导层3下表面的第三波导凹槽32 相对应,第四波导凹槽41的弯角处设计过渡台阶42,垂直极化馈电 波导盖板4下表面设计平板结构;
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