[发明专利]一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片制作领域，尤其涉及一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法。

背景技术

目前，在半导体晶片的制作过程中，为保证晶片有较高的质量，都是采用自动化的机械操作，包括半导体晶片的加工、工艺封装和传输等过程。例如在半导体晶片的传输加工过程中，较早的技术中一般使用机械卡盘固定晶片以进行半导体工艺，但需要盖住部分晶片表面，由此导致浪费和高污染等问题，目前均改用静电卡盘来传输，即让机械手将晶片放置在反应腔室内的静电卡盘上，而晶片被吸附在静电卡盘上，然后对半导体晶片进行各种工艺操作。

静电卡盘的工作原理是通过给静电卡盘电极施加一定的电势，使得在静电卡盘的电极上和晶片对应的位置产生极性相反的电荷，从而利用库仑力将晶片吸附在静电卡盘的表面上。现在应用较多是双电极静电卡盘，其工作原理图如图1所示，其中通过直流电源为双电极静电卡盘10的电极1和电极2供电，在工艺开始时，让其中的电极1为正，电极2为负，从而使放置在其上的半导体晶片1 1感应出对应的负电荷和正电荷，感应出的电荷与电极1和电极2上的电荷产生静电引力，从而将半导体晶片11吸附在双电极静电卡盘10的表面上。当需要释放晶片时，可以交换双电极静电卡盘10上电极1和电极2正负极性，以此来消除半导体晶片11上的静电电荷以及由静电电荷带来的残余引力，达到释放半导体晶片的目的。

但是由于静电卡盘在释放半导体晶片时，往往不能够完全地去除晶片和静电卡盘上的静电电荷，这种情况下，晶片和静电卡盘之间还存在着残余引力，如果静电卡盘上的顶针升起，就有可能导致晶片发生跳动或移位，致使机械手无法取到晶片，严重的甚至损伤顶针和机械手。目前已经有很多针对静电卡盘释放晶片方法的研究，但是却缺乏判断晶片和静电卡盘之间残余引力的方法，也就是针对晶片释放程度的判断方法，如果能够对半导体晶片从静电卡盘上的释放程度进行检测，就可以避免上述晶片跳动或移位的情况发生，减少事故发生率，保证半导体晶片在传输过程中更加地安全可靠。

发明内容

鉴于上述现有技术所存在的问题，本发明的目的就是提供一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法。利用该检测方法能够对半导体晶片从静电卡盘上的释放程度进行检测，然后根据释放程度做出相应的操作，避免上述晶片跳动或移位的情况发生，减少了事故发生率，保证了半导体晶片在传输过程中更加地安全可靠。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法，具体为，在从静电卡盘上释放半导体晶片后，包括如下步骤：

A：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体；

B：检测气体漏率；

C：判断气体漏率是否大于设定的漏率阈值，如是，则输出半导体晶片释放完全的结果；否则，输出半导体晶片未完全释放的结果。

所述的步骤A进一步包括：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入的气体压强为1～20Torr。

更进一步的，所述气体的压强为3～8Torr。

所述的步骤B进一步包括：检测气体漏率，并延时1～60秒。

更进一步的，所述的延时为3～10秒。

所述的步骤C中设定的漏率阈值为1～10SCCM(每分钟标准毫升)。

更进一步的，所述设定的漏率阈值为2～8SCCM。

所述的气体是氮气或惰性气体。

所述的步骤C进一步包括：若得出半导体晶片释放完全的结论，则将半导体晶片升起，进行后继的操作；若得出半导体晶片未完全释放的结论，则继续等待释放或报警。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本方法通过在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体，并将检测到的气体漏率和设定的漏率阈值进行比较，从而根据比较结果来判断半导体晶片的释放程度，并进行相应的后继操作。以上检测方法能够有效的判断半导体晶片从静电卡盘上的释放程度，然后就可以根据释放程度做出相应的操作，避免了半导体晶片发生跳动或移位的现象，减少了事故发生率，保证了半导体晶片在传输过程中更加地安全可靠。

附图说明

图1为双极性静电卡盘的工作结构示意图；

图2为本发明所述检测方法的流程图。

具体实施方式

本发明提供了一种检测半导体晶片从静电卡盘上释放程度的方法，本发明的核心为：在半导体晶片与静电卡盘的接触面间通入气体，并将检测到的气体漏率和设定的漏率阈值进行比较，从而根据比较结果来判断半导体晶片的释放程度。

为更好的描述本发明，现结合附图对本发明所述方法进一步说明：