[发明专利]一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法

权利要求书

1.一种促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，在从双电极静电卡盘上释放半导体晶片过程中，包括如下步骤：

A：在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势，并维持设定的时间，以促进半导体晶片上额外电荷的消散。

2.如权利要求1所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的步骤A之前还包括：

B：改变双电极静电卡盘两个电极上的电势极性，即将正电势变为负电势、负电势变为正电势，并维持设定的时间，以消除半导体晶片上的感应电荷。

3.如权利要求1或2所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的步骤B进一步包括：改变双电极静电卡盘两个电极上的电势极性，即将正电势变为负电势、负电势变为正电势，维持时间为1～10秒。

4.如权利要求3所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的维持时间为2～6秒。

5.如权利要求1或2所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的步骤A进一步包括：在双电极静电卡盘的两个电极上都加负电势，维持时间为1～10秒。

6.如权利要求5所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的维持时间为2～5秒。

7.如权利要求1或2所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的双电极静电卡盘上的两个电极使用两个输出可正负调换的直流电源来提供正电势或负电势。

8.如权利要求1或2所述的促进半导体晶片上静电电荷消散的方法，其特征在于，所述的双电极静电卡盘上的两个电极使用一个输出可正负调换的直流电源来提供正电势或负电势。