[发明专利]一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法

权利要求书

1.一种多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、用液态二氧化碳CO₂清洗硅材质零件表面；

B、对硅材质零件表面进行抛光处理，去除表面材料至消除表面缺陷与损伤；

C、对硅材质零件进行超声波清洗、有机溶剂清洗与酸性溶液清洗。

2.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，所述步骤A包括：

A1、向硅材质零件喷射出液态的CO₂，形成液态的CO₂流，来清洗材质表面，喷射出的液态的CO₂流冲击硅材质零件，CO₂液体气流带走杂质；

或者，在步骤A1后还包括：

用有机溶剂清洗去除硅材质表面的有机杂质。

3.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的步骤B包括：

依次采用粒度由大至小的金刚石砂轮对硅材质零件表面进行抛光处理，直至硅材质零件表面满足预定的性能要求。

4.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的步骤C包括：

C1、将电极放入50℃至80℃的热水中超声清洗设定的时间，且在清洗时保持电极上下摆动；

C2、用有机溶剂擦拭、浸泡或喷淋电极，并用超纯水喷淋电极；且此步骤可重复多次；

C3、用酸性溶液擦拭电极，并用超纯水喷淋电极；且此步骤可重复多次。

5.根据权利要求4所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于：所述的步骤C1前还包括：

C4、将电极放入大于70℃，小于100℃的水中浸泡0.5～1.5小时；

和/或，所述的步骤C3后还包括：

C5、将电极放入60℃的热超纯水中超声清洗设定的时间；和/或，

C6、将零件在100℃～120℃环境下烘烤零件进行烘干处理。

6.根据权利要求4或5所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于：所述的步骤C1、步骤C2、步骤C3和/或步骤C5后还包括：

用超纯水喷淋硅材质零件，并用洁净的气体吹干硅材质零件表面。

7.根据权利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的有机溶剂包括：

含量为100％的异丙醇；或者，

含量为100％的丙酮；或者，

异丙醇与超纯水的混合溶液，其中异丙醇与超纯水的混合比例为体积比1∶1；

其中，所述的异丙醇符合SEMI标准C41-1101A的I级标准；所述的丙酮满足电子纯级别要求，所述的超纯水为要求，电子系数18MΩ-cm。

8.根据权利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蚀腔室中硅材质零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的酸性溶液包括氟化氨NH₄F、双氧水H₂O₂、醋酸CH₃COOH、醋酸铵NH₄COOH与超纯水UPW，其含量体积百分比为：

NH₄F       0.01％-5％

H₂O₂       5％-30％

CH₃COOH    0.01％-10％

NH₄COOH    0％-5％

UPW        余量

其中各组份的含量各为100％。