[发明专利]一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法

权利要求书

1.一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，该方法包括：

A、在形成多晶硅栅之后，在源极一侧进行体引出注入；

B、对源漏端进行轻掺杂源区LDS和轻掺杂漏区LDD注入，在形成一次氧化物侧墙后，进行源漏区的N+注入，在源漏区都形成浅结；

C、用光刻胶把源区保护后，对漏区进行第二次N+注入，以使漏端结区到达埋氧层，形成源漏不对称的结构；

D、利用钴Co的硅化物，在源极一侧的钴硅化物穿透源极到达下面的体区，钳制体区电位，抑制浮体效应。

2.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，步骤A之前进一步包括：

A1、首先在绝缘体上硅SOI上生长一层牺牲氧化层，然后进行两次调栅注入，在沟道区形成合适的杂质分布；

A2、刻蚀掉牺牲氧化层，生长栅氧，然后淀积多晶硅，用光刻刻蚀形成多晶硅栅。

3.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，对于绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管SOI NMOSFET器件，步骤A所述体引出注入包括：

用光刻胶掩蔽漏端对SOI NMOSFET器件进行高剂量和能量的硼离子注入，用于在源极下面形成高浓度的P+区。

4.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，对于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管SOI PMOSFET器件，步骤A所述体引出注入包括：

对SOI PMOSFET器件进行高剂量和能量的磷离子注入，用于在源极下面形成高浓度的N+区。

5.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，步骤B中所述对源漏端进行LDS和LDD注入之后进一步包括：淀积一层正硅酸乙酯并反刻形成一次侧墙。

6.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，对于SOI NMOSFET器件，步骤B中所述进行源漏区的N+注入包括：对SOI NMOSFET器件进行低能量的砷离子注入。

7.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，对于SOI PMOSFET器件，步骤B中所述进行源漏区的N+注入包括：对SOI PMOSFET器件进行低能量的硼离子注入。

8.根据权利要求1所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，所述步骤D包括：

淀积一定厚度的Co膜，使Co与Si反应生成硅化物，刻去侧墙上未反应的Co，然后在一定温度下进行快速热处理，源区的硅化物穿通浅结与源区下面的P+型硅形成欧姆接触。

9.根据权利要求8所述的实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法，其特征在于，所述Co膜的厚度为30nm；所述Co与Si反应生成硅化物的条件为：在670℃下快速热处理5秒；所述在一定温度下进行快速热处理的条件为：在800℃下快速热处理10秒。