[发明专利]纳米磁载杂多酸的制备方法无效

专利信息
申请号: 200710063039.8 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN101229517A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 元炯亮;岳攀 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: B01J27/19 分类号: B01J27/19;B01J32/00;B01J37/025
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 纳米 杂多 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米磁载杂多酸的制备方法,其主要特征在于:首先在磁性四氧化三铁纳米颗粒上包覆一层二氧化硅纳米薄膜,并用十六烷基三甲基溴化铵进行表面修饰;然后再包覆第二层二氧化硅纳米薄膜,同时采用原位合成技术将杂多酸包埋于二氧化硅纳米薄膜中;采用本方法制备的磁载杂多酸纳米颗粒,其中的杂多酸结构稳定,在极性溶剂中不易溶脱。

2.根据权利要求1所述的对包覆了一层二氧化硅薄膜的四氧化三铁颗粒进行表面修饰的方法,其特征在于:将包覆了第一层二氧化硅薄膜的磁性颗粒,分散于去离子水中;加入十六烷基三甲基溴化铵,使其浓度达到0.5-2.0mM。

3.根据权利要求1所述的包覆第二层二氧化硅薄膜的方法,其特征在于:将正硅酸乙酯溶解于去离子水和乙醇中,正硅酸乙酯、乙醇、去离子水的体积比为1∶3∶4-1∶6∶10,用稀硝酸调pH至2.0-6.0,在40-80℃水浴中水解5-20min,得到二氧化硅溶胶;将二氧化硅溶胶加入权利要求2所述的分散体系中;溶胶中二氧化硅的重量占四氧化三铁颗粒的10%-40%。

4.根据权利要求1所述的将杂多酸包埋于二氧化硅薄膜中的方法,其特征在于:在二氧化硅溶胶的凝胶化过程中,加入杂多酸溶液,在40-80℃水浴中搅拌0.5-6h;其中杂多酸与第二层二氧化硅纳米薄膜的重量比为10-50%。

5.根据权利要求1所述的纳米磁载杂多酸的制备方法,其特征在于:将权利要求4所得产物进行磁性分离,洗涤,在100-110℃干燥10h,然后在300℃煅烧4h,得到磁载杂多酸纳米多孔颗粒。

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