[发明专利]一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法有效
| 申请号： | 200710063224.7 | 申请日： | 2007-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101214487A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 付春江 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00;H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 练光东 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 设备 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法，包括如下步骤：
1)先采用ClF3和惰性气体组成的混合气体对半导体刻蚀设备腔室进行清洗；
2)再采用惰性气体或O2或是惰性气体和O2组成的的混合气体对半导体刻蚀设备腔室进行清洗。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述惰性气体为He、Ne或Ar。
3.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤1)中ClF3和惰性气体体积比为0.01～99.9∶1。
4.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤1)中ClF3和惰性气体组成的混合气体的流速为10～500sccm。
5.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤1)中半导体刻蚀设备腔室中腔室压力为5～100mT。
6.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤2)中惰性气体或O2或是惰性气体和O2组成的的混合气体的流速为10～500sccm。
7.如权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤2)中半导体刻蚀设备腔室中腔室压力为5～100mT。
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