[发明专利]一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法

权利要求书

1.一种解决半导体硅刻蚀工艺偏移的方法，其特征在于包括如下步骤：

第一步，控制腔室压力在40～90mT；源电极的功率控制在650～900w；通入含氟气体，流量在150～200sccm；通入氧气，流量采用15～30sccm；刻蚀时间20～40s；

第二步，控制腔室压力在40～90mT；源电极的功率控制在650～900w；通入氧气，流量采用180～250sccm；刻蚀时间3～5s；

第三步，控制腔室压力在15～30mT；源电极的功率控制在650～900w；通入氧气，流量采用180～250sccm；刻蚀时间15～30s；

第四步，控制腔室压力在0～15mT；通入甲烷气体，流量在30～80sccm；刻蚀时间5～15s；

第五步，控制腔室压力在0～15mT；源电极功率控制在250～350w；下电极功率控制在30～90w；通入甲烷气体，流量在30～80sccm；刻蚀时间5～15s；

第六步，控制腔室压力在0～30mT；通入氯气，流量在5～30sccm；通入含溴气体，流量在150～200sccm；通入惰性气体，流量在5～15sccm；刻蚀时间5～15s；

第七步，控制腔室压力在0～30mT；源电极功率控制在250～350w；下电极功率控制在30～90w；通入氯气，流量在5～30sccm；通入含溴气体，流量在150～200sccm；通入惰性气体，流量在5～15sccm；刻蚀时间40～80s；

重复循环上述步骤至少两次。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括如下步骤：

第一步，控制腔室压力在60～80mT；源电极的功率控制在750～850w；通入含氟气体，流量在160～180sccm；通入氧气，流量采用15～25sccm；刻蚀时间30～35s；

第二步，控制腔室压力在60～80mT；源电极的功率控制在750～850w；通入氧气，流量采用180～210sccm；刻蚀时间3～5s；

第三步，控制腔室压力在15～20mT；源电极的功率控制在750～850w；通入氧气，流量采用200～220sccm；刻蚀时间20～30s；

第四步，控制腔室压力在10～15mT；通入甲烷气体，流量在30～50sccm；刻蚀时间8～13s；

第五步，控制腔室压力在10～15mT；源电极功率控制在300～350w；下电极功率控制在30～50w；通入甲烷气体，流量在30～50sccm；刻蚀时间8～13s；

第六步，控制腔室压力在10～20mT；通入氯气，流量在10～15sccm；通入含溴气体，流量在150～200sccm；通入惰性气体，流量在10～15sccm；刻蚀时间10～15s；

第七步，控制腔室压力在10～20mT；源电极功率控制在250～350w；下电极功率控制在30～90w；通入氯气，流量在5～30sccm；通入含溴气体HBr，流量在180～200sccm；通入惰性气体，流量在10～15sccm；刻蚀时间40～50s；

重复循环上述步骤至少两次。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于当转换成多晶硅的刻蚀工艺时，硅片为多晶硅的空白片；当转换成钨栅的刻蚀工艺时，则硅片为硅化钨的空白片。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的方法，其特征在于当工艺转换时，腔室空闲10小时以上，采用刻蚀10片硅片；当空闲5～10小时，采用刻蚀5～10片硅片；当空闲5小时以下，采用刻蚀2～5片硅片。

5.根据权利要求1～4任意一项所述方法，其特征在于所述的含氟气体为SF₆或CF₄，所述的惰性气体为He、Ne或Ar。