[发明专利]一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法无效
申请号: | 200710063397.9 | 申请日: | 2007-01-10 |
公开(公告)号: | CN101219429A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 童翔 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B3/12;B08B7/04;B08B1/00;F26B5/00;F26B3/02;C11D7/50;H01L21/00;H01L21/3065;C11D7/02 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵镇勇;郭宗胜 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 刻蚀 腔室中 石英 零件 表面 清洗 方法 | ||
1.一种多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,包括以下过程:
A、用至少一种有机溶剂清洗石英零件表面;
B、用碱性溶液清洗石英零件表面;
C、用至少一种酸性溶液清洗石英零件表面;
D、对石英零件进行超声波清洗。
2.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的过程A前包括:
用去离子水清洗石英零件表面,并用洁净的高压气体吹干石英零件的表面。
3.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的过程B包括:
A1、用至少一种有机溶剂分别喷淋、擦拭或浸泡石英零件设定的清洗时间,用洁净的擦拭物擦拭零件,直至擦拭物上无带色的污染物附着;
或者在过程A1后还包括:
A2、用去离子水喷淋石英零件表面,并用洁净的高压气体吹干石英零件的表面。
4.根据权利要求1或3所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的有机溶剂包括:
纯异丙醇,100%,符合SEMI标准C41-1101A的I级标准;或者,
纯丙酮,满足电子纯级别要求。
5.根据权利要求1或3所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的过程B包括:
在用有机溶剂清洗石英零件后,对石英零件进行超声清洗。
6.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的过程B包括:
B1、用碱性溶液在室温浸泡适应石英零件设定的碱性溶液浸泡时间;
B2、用去离子水喷淋石英零件表面,并用洁净的高压气体吹干石英零件的表面。
7.根据权利要求1或6所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的碱性溶液包括氢氧化氨NH4OH、双氧水H2O2与水H2O,其质量含量比为:NH4OH∶H2O2∶H2O为1∶3-8∶10。
8.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的过程C包括:
C1、用酸性溶液在室温浸泡适应石英零件设定的酸性溶液浸泡时间;
C2、用去离子水喷淋石英零件表面,并用洁净的高压气体吹干石英零件的表面。
9.根据权利要求1或8所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于,所述的酸性溶液包括:
配方X:所述的酸性溶液盐酸水溶液,其盐酸HCl的质量百分含量比为5%~10%;
配方Y:所述的酸性溶液包括氢氟酸HF、硝酸HNO3与水H2O,其质量含量比为:
HF 1%~5%;
HNO3 5%~20%;
H2O 余量;
所有组分的含量总和为100%。
10.根据权利要求1或2所述的多晶刻蚀腔室中石英零件表面的清洗方法,其特征在于:
所述的过程E前包括,
D1、将石英零件在超纯水中浸泡设定的超纯水浸泡时间;
或者,所述的过程E后包括,
D2、用去离水喷淋石英零件表面不少于设定的喷淋时间,并用洁净的高压气体吹干石英零件的表面;
D3、将零件在80℃~130℃环境下烘烤零件进行烘干处理。
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