[发明专利]一种硼酸钡钇、硼酸钡钇晶体的制备方法及用途

权利要求书

1、一种硼酸钡钇，其特征在于，所述硼酸钡钇为单晶体。

2、一种硼酸钡钇晶体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

首先将YBa₃B₉O₁₈多晶原料装入铂坩埚，将铂坩锅放入单晶生长炉中，使单晶加热炉内温度升高以使多晶原料熔化，然后用铂丝接触熔化后的多晶料，再以0.5-2℃/h的降温速度使熔化的多晶料冷却至1018-1022℃，即在铂丝上得到硼酸钡钇籽晶，将得到的籽晶用铂丝捆绑固定在有铂夹的籽晶杆上，并将籽晶杆放入熔化后的多晶料中，旋转籽晶杆，并使熔体温度保持在上述冷却后的温度，然后以0.01-0.05℃/h的速率降温，降温至1016-1018℃，在籽晶杆上得到晶体，将晶体拉出熔体，以30-50℃/h的速率降至室温得到硼酸钡钇晶体。

3、如权利要求2所述的硼酸钡钇晶体的制备方法，其特征在于，在硼酸钡钇多晶熔化过程中，单晶加热炉内温度升高到1019-1040℃。

4、如权利要求2所述的硼酸钡钇晶体的制备方法，其特征在于，所述YBa₃B₉O₁₈多晶原料经下述步骤制备：首先将分析纯的氧化钇、碳酸钡、硼酸按1∶3∶9.0-9.1的摩尔比在玛瑙研钵中研磨并混合均匀后放入铂坩埚中，将铂坩埚放入马弗炉中，使马弗炉内温度升高到920-940℃并保持该温度12-72小时，使反应物充分固相反应后停止加热，冷却到室温即得到YBa₃B₉O₁₈多晶体。

5、如权利要求3所述的硼酸钡钇晶体的制备方法，其特征在于，所述分析纯的氧化钇，碳酸钡，硼酸纯度不小于99.9％。

6、如权利要求2所述的硼酸钡钇晶体的制备方法，其特征在于，所述单晶生长炉为MoSi₂ U型电阻棒加热单晶提拉炉。

7、一种权利要求2所述硼酸钡钇晶体的用途，其特征在于，所述硼酸钡钇晶体用于X-射线探测。