[发明专利]荧光强度反转型耐磨损耐涂污荧光防伪方法无效
申请号: | 200710064724.2 | 申请日: | 2007-03-23 |
公开(公告)号: | CN101271068A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 陈晓波;宋增福;聂玉昕 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G07D7/12;C09K11/77 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王旭 |
地址: | 100875*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 强度 转型 耐磨 损耐涂污 防伪 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种双波长激发的荧光防伪方法,具体而言,本发明涉及一种双波长激发的荧光强度反转型耐磨损耐涂污荧光防伪方法,其采用Yb3+X型稀土纳米材料作为荧光防伪材料,其中X为另一种稀土元素离子,利用这种稀土纳米材料的荧光强度反转和荧光强度反转的动态范围基本不变的现象进行荧光防伪。
背景技术
随着经济的发展,假冒伪劣商品作为一种社会现象已成为世界各国普遍关注的问题。世界上很多国家特别是一些发达国家都投入很大力量开发各种防伪新技术,尤其是各种高科技防伪新技术。我们国家常用的防伪技术有:激光全息、荧光材料、水印纸、荧光纤维、荧光油墨等防伪油墨、安全线、双面对印、条形码、磁码、电码等防伪技术。其中令人瞩目的就是荧光防伪技术的开发和应用,由于荧光防伪技术具有优良的安全性和易识别性,使其在高科技防伪技术方面应用非常广泛。荧光防伪技术的应用现在主要有荧光防伪油墨和荧光防伪纤维两个方面。而单波长荧光防伪在这两个方面都已得到了较普遍的应用,例如,100元人民币上的紫外光致可见荧光数字就是继水印之后大众最通用的防伪手段,在医药、商品等方面也有重要的应用。
但是对于单波长荧光防伪,它的原理是由一短波光激发而发射出一条长波的可见荧光,荧光的颜色是不会改变具有很好的防伪性能,但随着“防伪物体”的使用,荧光强度是会有很大的改变。为了确保技术可靠需要留有余地,因而荧光的检出限需比荧光的最大发光强度小数倍;这样一来新的一种防伪工具推出之后,就给伪造者以可乘之机,虽然伪造者的赝品达不到标准正品的发光强度,却能达到检出限的发光强度,使得防伪的可靠性受到影响。
发明内容
为了解决上述问题,我们提出了一种新型的“荧光强度反转型耐磨损耐涂污”荧光防伪方法,该方法采用Yb3+X型稀土纳米材料作为荧光防伪材料,其中X为另一种稀土元素离子,利用这种稀土纳米材料的荧光强度反转的动态范围不变的现象,通过检测正常的荧光强度比α,荧光强度反转比γ,以及荧光强度反转的动态范围∑=γ×α,鉴别被测物的真伪,达到荧光防伪的目的。
具体而言,本发明涉及一种双波长激发的荧光强度反转型耐磨损耐涂污荧光防伪方法,该方法采用Yb3+X型稀土纳米材料作为荧光防伪材料,其中X为另一种稀土元素离子,利用这种稀土纳米材料的荧光强度反转和荧光强度反转的动态范围基本不变的现象进行荧光防伪,所述方法包括:
(1)选用激发光EX1激发X离子,使其发出较强的短波长荧光和较弱的长波长荧光;
(2)检测激发光EX1激发下的短波长荧光与长波长荧光的荧光强度比α;
(3)选用激发光EX2激发X离子,使其发出较强的长波长荧光和较弱的短波长荧光;
(4)检测激发光EX2激发下的长波长荧光与短波长荧光的荧光强度反转比γ;
(5)计算荧光强度反转的动态范围∑=γ×α。
本发明方法检测的是荧光强度反转和荧光强度反转的动态范围∑,荧光强度反转的动态范围∑不仅是不随磨损而改变的,而且还是不随涂污而改变的,不随时间环境而改变的。因此可以实现耐磨损耐涂污的荧光防伪,而且检出限的设置可以很高很精确,以完全和防伪物体的标准正品匹配,从而使荧光防伪的先进性和可靠性提高很多。
附图说明
图1.纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Er(0.5)Yb(3):FOV的378.5nm和522.5nm吸收能级的发射谱。
图2.纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Er(0.5):FOV的378.5nm和522.5nm吸收能级的发射谱。
图3.纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Er(0.5)Yb(3):FOV的667.1nm和543.7nm荧光的激发光谱。
图4.纳米相氟氧化物玻璃陶瓷Er(0.5):FOV的543.7nm和667.1nm荧光的激发光谱。
图5.Yb3+Er3+双掺系统荧光强度反转示意图。
图6.Yb3+Tb3+双掺系统荧光强度反转示意图。
图7.Yb3+Eu3+双掺系统荧光强度反转示意图。
具体实施方式
本发明采用Yb3+X型稀土纳米材料作为荧光防伪材料,利用这种稀土纳米材料的荧光强度反转和荧光强度反转的动态范围基本不变的现象进行荧光防伪。下面将结合附图和具体实例详细描述本发明的方法。
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