[发明专利]一种晶体管T型纳米栅的制作方法

权利要求书

1. 一种晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，该方法包括：

A、在清洗干净的外延片上淀积一层氮化硅或二氧化硅介质；

B、在所述氮化硅或二氧化硅介质上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；

C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀一层易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶，然后前烘；

D、在所述第二层电子束胶上匀第三层电子束胶ZEP520A，然后前烘；

E、进行栅版电子束曝光；

F、依次显影第三层电子束胶ZEP520A，易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶和第一层电子束胶ZEP520A；

G、等离子刻蚀所述氮化硅或二氧化硅介质；

H、腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。

2. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，所述步骤A之前进一步包括清洗外延片，具体步骤包括：

先用丙酮冲洗，再用乙醇冲洗，然后用去离子水冲洗，如此反复至少6次，最后用氮气吹干。

3. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，所述易于实现去胶和剥离的第二层电子束胶为PMGI电子束胶，或为LOR胶。

4. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，步骤A中所述氮化硅或二氧化硅介质的厚度为100至1000埃，典型值为200埃。

5. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，步骤B中所述第一层电子束胶ZEP520A在前烘前的厚度为1000至2500埃，典型值为1800埃；在前烘后的厚度为900至2300埃，典型值为1600埃；前烘条件为在180度烘箱中烘30分钟。

6. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，步骤C中所述第二层电子束胶在前烘前的厚度为3000至5500埃，典型值为4500埃；在前烘后的厚度为2500至5000埃，典型值为4000埃；前烘条件为在180度烘箱中烘6分钟。

7. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，步骤D中所述第三层电子束胶ZEP520A在前烘前的厚度为1700至4000埃，典型值为2600埃；在前烘后的厚度为1500至3500埃，典型值为2400埃；前烘条件为在180度烘箱中烘30分钟。

8. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，

步骤E中所述栅版电子束曝光的条件为：曝光剂量60至150μC/cm²，束流小于等于50pA。

9. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，步骤G中所述等离子刻蚀氮化硅或二氧化硅介质的刻蚀条件为：

刻蚀气体采用四氟化碳CF₄或六氟化硫SF₆，功率10至60W，流量10至60sccm。

10. 根据权利要求1所述的晶体管T型纳米栅的制作方法，其特征在于，步骤H中所述腐蚀栅槽包括：

对于帽层/腐蚀截止层为砷化镓GaAs/砷化铝AlAs的材料，采用磷酸∶双氧水∶水体积比为3∶1∶50的溶液进行腐蚀；

对于帽层/腐蚀截止层为铟镓砷InGaAs/磷化铟InP的材料，采用柠檬酸∶双氧水体积比为1∶1的溶液进行腐蚀；

步骤H中所述蒸发的栅金属由外延片表面向上依次为钛Ti/铂Pt/金Au，其厚度的典型值分别为250/250/3000。