[发明专利]一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置

权利要求书

1. 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，该装置包括：

超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室(4)和温度控制室(5)组成；高压反应室(4)用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室，与二氧化碳气瓶相连，且高压反应室(4)的外壁上安装有半导体制冷环(201)；温度控制室(5)通过蒸发器盘管与高压反应室(4)相连，实现高压反应室(4)的制冷和加热；

分离减压室(6)，通过管道与高压反应室(4)相连，用于减压后将醇类和二氧化碳分离；

所述超临界干燥室与分离减压室(6)通过支座台(2)固定连接。

2. 根据权利要求1所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述高压反应室(4)顶部安装有高压盖(1)，用于密封高压室。

3. 根据权利要求2所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述高压盖(1)由不锈钢材料制成，其直径为180mm，高为20mm。

4. 根据权利要求1所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述高压反应室底部安装有进口电磁阀(401)，出口电磁阀(402)，温度传感器(11)，压力传感器(10)；其中，进口电磁阀(401)和出口电磁阀(402)用于控制二氧化碳气体的进出；温度传感器(11)用于测试和控制高压反应室(4)内的温度；压力传感器(10)用于测试和控制高压反应室(4)内的压力。

5. 根据权利要求1或4所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述高压反应室为不锈钢材料制成的圆柱体，其直径为135mm，高为82mm。

6. 根据权利要求1所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，

所述硅片支架置于高压反应室(4)内部，加热电阻丝直接绕贴在高压反应室(4)的底部；

所述半导体制冷环焊接在高压反应室(4)的外壁，其内径为135mm。

7. 根据权利要求1所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述分离减压室(6)接有进气管和减压排气管(8)，进气管用于连接高压反应室(4)与分离减压室；减压排气管(8)用于排除残余液体和气体。

8. 根据权利要求1或7所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述分离减压室为不锈钢材料制成的圆柱体，其直径为135mm，高为200mm。

9. 根据权利要求1所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，所述硅片支架为直径120mm，厚度2mm的铝合金圆柱。

10. 根据权利要求1所述的半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，其特征在于，该装置由继电器温度压力传感器及阀门控制自动运行，并设置安全自锁机能。