[发明专利]一种利用光敏胶层制作空气桥的方法无效
申请号: | 200710064859.9 | 申请日: | 2007-03-28 |
公开(公告)号: | CN101276778A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 于进勇;金智;程伟;刘新宇;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 光敏 制作 空气 方法 | ||
1. 一种利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,该方法包括:
A、在基片上涂敷牺牲胶层覆盖基片上的金属,光刻曝光显影涂敷的牺牲胶层,形成空气桥支撑;
B、对形成空气桥支撑的基片进行烘烤,使牺牲胶的边角圆滑并固化;
C、在基片上涂敷二次光刻胶,光刻曝光显影涂敷的二次光刻胶,形成桥面;
D、在基片上蒸发、溅射或电镀一层金属材料;
E、剥离基片上的光刻胶,形成空气桥。
2. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤A包括:
在基片上涂敷一定厚度的牺牲胶层,覆盖基片上的金属,在温度80至115℃下烘烤10至210秒;然后将涂敷有牺牲胶层的基片在曝光机下曝光,将曝光后的基片置于显影液中显影,形成支撑空气桥的牺牲胶块,并将显影后的基片置于干法刻蚀机中处理残胶。
3. 根据权利要求2所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述牺牲胶层为光敏的正胶、负胶、反转胶、PI胶或BCB;所述牺牲胶层的厚度为0.2至5μm;所述曝光采用G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机;所述显影时间以获得所需图形为准;所述处理残胶采用RIE刻蚀机,刻蚀时间以去掉残胶为准。
4. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,步骤B中所述烘烤采用烘箱或热板,将基片放入80~200摄氏度烘箱烘烤3至120分钟或者在60~200摄氏度热板烘烤3至120分钟。
5. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤C包括:
在基片上涂敷一定厚度的二次光刻胶,然后在温度80至115℃下烘烤10至210秒,将涂敷有二次光刻胶的基片在曝光机下曝光,并加热曝光后外延层结构一定时间使二次光刻胶变性;然后将基片在曝光机下进行无掩模曝光,将泛曝光后的基片置于显影液中显影,将显影后的基片置于干法刻蚀机中处理残胶,形成桥面。
6. 根据权利要求5所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述二次光刻胶为正胶、负胶、反转胶、PI胶或BCB;所述二次光刻胶的厚度为0.2至5μm;所述曝光采用G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机,曝光时间以能显影干净窗口中的光刻胶为准;所述显影时间以获得所需图形为准;所述处理残胶采用RIE刻蚀机,刻蚀时间以去掉残胶为准。
7. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤D包括:
将二次光刻胶光刻显影后的基片放入蒸发/溅射炉中,抽真空,蒸发/溅射一定厚度和组分的金属。
8. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤E包括:
将基片浸泡在有机溶剂中一定时间,将剥离液加热至80至250摄氏度,使光刻胶脱落基片,形成空气桥。
9. 根据权利要求8所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,当二次光刻胶为AZ5214时,所述有机溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮或丙酮,加热100摄氏度,浸泡至少60分钟,然后依次用丙酮、乙醇和去离子水冲洗,完成剥离。
10. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,步骤E中所述剥离基片上的光刻胶采用加热、冷却、超声或兆声方法实现,并采用剥离液喷射基片使不需要的金属和光刻胶去掉后,用溶剂和去离子水冲洗基片,然后氮气吹干。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造