[发明专利]一种利用光敏胶层制作空气桥的方法无效

专利信息
申请号: 200710064859.9 申请日: 2007-03-28
公开(公告)号: CN101276778A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 于进勇;金智;程伟;刘新宇;夏洋 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 光敏 制作 空气 方法
【权利要求书】:

1. 一种利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,该方法包括:

A、在基片上涂敷牺牲胶层覆盖基片上的金属,光刻曝光显影涂敷的牺牲胶层,形成空气桥支撑;

B、对形成空气桥支撑的基片进行烘烤,使牺牲胶的边角圆滑并固化;

C、在基片上涂敷二次光刻胶,光刻曝光显影涂敷的二次光刻胶,形成桥面;

D、在基片上蒸发、溅射或电镀一层金属材料;

E、剥离基片上的光刻胶,形成空气桥。

2. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤A包括:

在基片上涂敷一定厚度的牺牲胶层,覆盖基片上的金属,在温度80至115℃下烘烤10至210秒;然后将涂敷有牺牲胶层的基片在曝光机下曝光,将曝光后的基片置于显影液中显影,形成支撑空气桥的牺牲胶块,并将显影后的基片置于干法刻蚀机中处理残胶。

3. 根据权利要求2所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述牺牲胶层为光敏的正胶、负胶、反转胶、PI胶或BCB;所述牺牲胶层的厚度为0.2至5μm;所述曝光采用G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机;所述显影时间以获得所需图形为准;所述处理残胶采用RIE刻蚀机,刻蚀时间以去掉残胶为准。

4. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,步骤B中所述烘烤采用烘箱或热板,将基片放入80~200摄氏度烘箱烘烤3至120分钟或者在60~200摄氏度热板烘烤3至120分钟。

5. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤C包括:

在基片上涂敷一定厚度的二次光刻胶,然后在温度80至115℃下烘烤10至210秒,将涂敷有二次光刻胶的基片在曝光机下曝光,并加热曝光后外延层结构一定时间使二次光刻胶变性;然后将基片在曝光机下进行无掩模曝光,将泛曝光后的基片置于显影液中显影,将显影后的基片置于干法刻蚀机中处理残胶,形成桥面。

6. 根据权利要求5所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述二次光刻胶为正胶、负胶、反转胶、PI胶或BCB;所述二次光刻胶的厚度为0.2至5μm;所述曝光采用G、H、I线光源的接触式曝光机或投影光刻机,曝光时间以能显影干净窗口中的光刻胶为准;所述显影时间以获得所需图形为准;所述处理残胶采用RIE刻蚀机,刻蚀时间以去掉残胶为准。

7. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤D包括:

将二次光刻胶光刻显影后的基片放入蒸发/溅射炉中,抽真空,蒸发/溅射一定厚度和组分的金属。

8. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,所述步骤E包括:

将基片浸泡在有机溶剂中一定时间,将剥离液加热至80至250摄氏度,使光刻胶脱落基片,形成空气桥。

9. 根据权利要求8所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,当二次光刻胶为AZ5214时,所述有机溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮或丙酮,加热100摄氏度,浸泡至少60分钟,然后依次用丙酮、乙醇和去离子水冲洗,完成剥离。

10. 根据权利要求1所述的利用光敏胶层制作空气桥的方法,其特征在于,步骤E中所述剥离基片上的光刻胶采用加热、冷却、超声或兆声方法实现,并采用剥离液喷射基片使不需要的金属和光刻胶去掉后,用溶剂和去离子水冲洗基片,然后氮气吹干。

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