[发明专利]一种用于光刻技术的无机热阻膜有效
| 申请号： | 200710065293.1 | 申请日： | 2007-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101286004A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘前;曹四海;郭传飞;李晓军 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光刻 技术 无机 热阻膜 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于光刻技术的无机热阻膜，包括基底(3)、在基底(3)上依次生长的无机金属薄膜(A1)和无机金属薄膜(B)；其特征在于：还包括一层无机金属薄膜(A2)，该无机金属薄膜(A2)生长在无机金属薄膜(B)的另一面上，所述的无机金属薄膜(A1)和无机金属薄膜(A2)为相同的金属，并且无机金属薄膜(A1)、无机金属薄膜(A2)与无机金属薄膜(B)三者是能够一起生成二元合金的金属材料。
2. 按权利要求1所述的用于光刻技术的无机热阻膜；其特征在于，所述的无机金属薄膜(A1)、无机金属薄膜(A2)和无机金属薄膜(B)厚度分别为5nm-100nm。
3. 按权利要求1所述的用于光刻技术的无机热阻膜；其特征在于，所述的无机金属薄膜(A1)和无机金属薄膜(A2)，包括以下金属：Bi、Sn、In、Al、Zn、Sb、Pb、Pd、Pt、Ga、Cd或Mg。
4. 按权利要求1所述的用于光刻技术的无机热阻膜；其特征在于，所述的无机金属薄膜(B)包括：In、Sn、Zn、Al、Pb、Pd、Pt、Cd、Co、Ga、Mg或Ti。
5. 按权利要求1所述的用于光刻技术的无机热阻膜；其特征在于，所述的基底(1)采用Si或SiO2。
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