[发明专利]带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜有效

申请号：	200710065294.6	申请日：	2007-04-10
公开（公告）号：	CN101286005A	公开（公告）日：	2008-10-15
发明（设计）人：	刘前;曹四海;郭传飞;李晓军	申请（专利权）人：	国家纳米科学中心
主分类号：	G03F7/004	分类号：	G03F7/004
代理公司：	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人：	高存秀
地址：	10008***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	带有氧化物局域微缩光刻
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【权利要求书】：

1. 一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，包括基底(1)，和依次溅射沉积在基底(1)上的第一保护层(9)、氧化物掩模层(8)和第二保护层(7)；其特征在于：还包括第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)；该第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)顺序生长在第二保护层(7)上，所述的第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)是能在温度≤500℃下，一起形成二元合金的金属材料；所述的第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)的厚度分别为5nm-100nm。

2. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的基底(1)采用SiO₂基片或PC基片。

3. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的第一保护层(9)和第二保护层(7)为(ZnS)₈₅(SiO₂)₁₅或SiN材料制作。

4. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的第一保护层(9)的厚度为厚度为100nm-200nm。

5. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的第二保护层(7)的厚度为厚度为10nm-50nm。

6. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的氧化物掩模层(8)为AgO_x，WO_x，PtO_x或PdO材料制作。

7. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的氧化物掩模层(8)厚度为2nm-30nm。

8. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的第一金属薄膜(A)包括以下：Bi、Sn、In、Al、Zn、Sb、Pb、Pd、Pt、Ga、Cd或Mg金属制作的。

9. 按权利要求1所述的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜，其特征在于：所述的第二金属薄膜(B)包括：In、Sn、Zn、Al、Pb、Pd、Pt、Cd、Co、Ga、Mg或Ti金属制作的。

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