[发明专利]TFT LCD电极薄膜制备所用的靶材及靶材和电极薄膜制备方法

权利要求书

1、 一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用的靶材，其特征在于：所述靶材为Al-RE的合金、Al-Ni的合金或者Al-Ni-RE合金。

2、 根据权利要求1所述的靶材，其特征在于：所述靶材中合金元素的含量在1at％-10at％。

3、 一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用靶材的制备方法，其特征在于：

首先，提供一基体；

接着，将混合充分的Al-RE、Al-Ni或者Al-Ni-RE合金粉末，加热使之完全熔化以后，将喷射工作气体通过雾化喷嘴将熔化的合金雾化成小液滴并在气流的带动下以一定的速度向冷却并旋转的基体快速运动并在所述基体表面获得具有一定密度的坯体；

然后，将坯体进行初步整形及进行热等静压致密化；

最后，经过机械加工到最终尺寸。

4、 一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜制备所用靶材的制备方法，其特征在于：

首先，提同一基体；

接着，将混合充分的Al-RE、Al-Ni或者Al-Ni-RE合金粉末，加热使之完全熔化以后，经过搅拌均匀化以后将合金液体到入预热到一定温度的型腔中，使之冷凝到室温以后，从型腔中取出；

最后，进行机械加工得到最终尺寸。

5、 根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述进行机械加工得到最终尺寸前经过锻造加工。

6、 一种TFT LCD有源矩阵电极薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

用直流磁控溅射Al-RE、Al-Ni或者Al-Ni-RE多元复合靶材的方法在基体上沉积得到电极薄膜。

7、 根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述用直流磁控溅射Al-RE、Al-Ni或者Al-Ni-RE多元复合靶材的方法在基体上沉积得到电极薄膜之前，在基体上沉积一层难熔金属，接着用直流磁控溅射Al-RE、Al-Ni或者Al-Ni-RE多元复合靶材沉积一层Al-RE、Al-Ni或者Al-Ni-RE作为导电层，形成二层结构电极薄膜。

8、 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述形成二层结构电极薄膜后，再在导电层薄膜层上面沉积一层难熔金属，形成一种三层结构。

9、 根据权利要求6-8任一所述的制备方法，其特征在于：完成所述电极薄膜的制作后，接着在150-400℃温度范围内对沉积在基体上的电极薄膜进行退火热处理，使得合金元素以金属间化合物的形式沉淀下来。