[发明专利]一种驻极体的极化方法无效
申请号: | 200710067711.0 | 申请日: | 2007-03-20 |
公开(公告)号: | CN101071683A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 陈钢进;肖慧明 | 申请(专利权)人: | 浙江科技学院 |
主分类号: | H01G7/02 | 分类号: | H01G7/02;H04R19/01;H04R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310023浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驻极体 极化 方法 | ||
1、一种驻极体的极化方法,包括下述步骤:
(1)在驻极体材料的至少一面覆盖一层极性高分子薄膜;所述极性高分子薄膜的介电常数大于驻极体材料的介电常数;
(2)升温至所述极性高分子薄膜融化,对驻极体材料施加外电场进行注极;
(3)降温,撤去电场即得所述驻极体。
2、如权利要求1所述驻极体的极化方法,其特征在于所述极性高分子薄膜选自下列之一:聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酯。
3、如权利要求2所述驻极体的极化方法,其特征在于:所述极性高分子薄膜为聚偏氟乙烯。
4、如权利要求1所述驻极体的极化方法,其特征在于:所述的驻极体材料为二氧化硅,所述极性高分子薄膜为聚偏氟乙烯。
5、如权利要求1所述驻极体的极化方法,其特征在于:所述的驻极体材料为SiO2/Si3N4双层膜,所述极性高分子薄膜为聚偏氟乙烯。
6、如权利要求1~5之一所述驻极体的极化方法,其特征在于包括下述顺序步骤:
①、先在驻极体材料的一面蒸镀金属电极;
②、在驻极体材料的另一面覆盖极性高分子薄膜;
③、升高温度,使极性高分子薄膜熔化;
④、在熔化的极性高分子薄膜上附加另一金属电极;
⑤、在保持极性高分子薄膜熔化的条件下,在两电极间施加一极化电场进行注极,极化电场电压保持在500~5000V之间,电压控制在材料不发生击穿的范围;
⑥、降温,撤去电场。
7、根据权利要求6所述的驻极体的极化方法,其特征是:步骤⑤中的注极时间在5~60分钟。
8、根据权利要求6所述的驻极体的极化方法,其特征是:步骤⑥中降温至室温。
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