[发明专利]具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法

权利要求书

1.一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜，其特征在于：在MgO基板(1)的一面上沉积一层缓冲层导电电极LNO薄膜(2)，在缓冲层导电电极LNO薄膜(2)上再沉积一层钙钛矿相PST薄膜(3)。

2.根据权利要求1所述的一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜，其特征在于：所述的钛酸锶铅薄膜透过率为30％～60％，电导率为2×10^-3～3×10^-3Ωm。

3.一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：

1)以碳酸锂和氧化镍为原料，按质量百分含量为10％～20％的碳酸锂与80％～90％的氧化镍混合后，研磨3～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，并在空气中烧结，烧结温度为800～900℃，升温速率为100～600℃/h，保温1～3h，降到常温后得到镍酸锂靶材；

2)以碳酸铅、碳酸锶和氧化钛为原料，按质量百分含量为20％～30％的碳酸铅、15％～25％的碳酸锶和45％～65％氧化钛混合后，研磨3～5小时，以压力为2～10MPa压制成型，并在空气中烧结，烧结温度为800～900℃，升温速率为100～600℃/h，保温1～3h，降到常温后得到钛酸锶铅靶材；

4)采用已制备的镍酸锂靶材，利用脉冲激光沉积法，在(001)MgO基板上沉积镍酸锂薄膜，基板温度范围为500～600℃；

5)采用已制备的钛酸锶铅靶材，利用脉冲激光沉积法，在覆盖又镍酸锂缓冲层的(001)MgO基板上沉积钛酸锶铅薄膜，基板温度范围为700～800℃。

4.根据权利要求3所述的一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜的制备方法，其特征在于：所述的钛酸锶铅薄膜具有优良的外延特性，在-20v～20v外加电场之间，介电可调性介于40％到70％之间。