[发明专利]点弧和柱弧真空镀膜方法

权利要求书

1.一种点弧和柱弧真空镀膜方法，其特征在于包括如下步骤：

1)真空离子镀膜设备抽真空：真空镀为8.0-4.0×10^-3Pa；

2)离子清洗：工件偏压从100V上升为500V，偏压100V时真空比为10％、500V时真空比为90％，电流从70A开始至90A，真空度为2.0-3.0×10Pa，使用氩气、氮气作为气源，进气量300-500mm³/s，进行离子清洗5-8分钟；

3)主弧轰击：在真空度为5.0-2.0×10^-1Pa，柱弧电流为200-250A，点弧电流为70-90A，偏压300-400V时开始主弧轰击，使用氢气作为气源，进气量100-150mm³/s，先柱弧轰击，后点弧轰击，柱弧轰击与点弧轰击交叉进行，每次30-35秒，循环4-6次；

4)镀底膜过渡层：选用钛靶、铬靶、锆靶为靶材，用柱弧镀底膜过渡层，使用氩气、氮气作为气源，进气量250-220mm³/s，真空比80-90％，真空度为4.5-3.0×10^-1Pa，电流为200-220A，偏压150-200V，镀底膜时间为3-5分钟；

5)镀结合膜层：真空度、真空比、电流、偏压不变，采用锆靶，使用氮气、氩气作为气源，进气量250-220mm³/s，点弧、柱弧同时镀结合膜层，镀结合膜层时间为5-6分钟；

6)镀化合物膜层：真空度3.0-4.0×10^-1Pa，真空比80-90％，柱弧电流为200-250A，点弧电流为70-90A，偏压130-180V，采用锆靶或铬靶，使用氩气、氮气、乙炔或甲烷作为气源，进气量氮气50-190mm³/s，氩气150-100mm³/s，乙炔或甲烷5-50mm³/s，点弧、柱弧同时镀化合物膜层，镀化合物膜层时间为6-8分钟；

7)镀光亮层：真空度为2.0-4.0×10^-1Pa，电流为70-90A，偏压150-200V，使用氧气作为气源，进气量80-100mm³/s，用柱弧镀光亮层，镀光亮层时间为0.5-1分钟；

8)降温：用氩气或氮气降温，降温时间5-6分钟。