[发明专利]一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法

权利要求书

1.一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，其特征是以体积百分数计，含有：

质量浓度为65％～68％的HNO₃≥10％，

质量浓度为40％的HF≥5％，且满足35％≤HNO₃+HF≤75％，其余体积由H₂O补足，组分之和为HNO₃+HF+H₂O＝100％。

2.根据权利要求1所述的用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液，其特征是在电阻率为0.0007～80Ω·cm、<110>、<100>和<111>晶向的硅片缺陷显示的应用。

3.根据权利要求1所述的用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液的使用方法，其特征是步骤如下：

(1)用RCA标准清洗液清洗硅片；

(2)将硅片置于腐蚀液中静置不动，待硅片表面产生气泡时，摇晃腐蚀液；

(3)腐蚀2～5分钟后，加入去离子水，停止反应，然后用体积比为HNO₃∶HF＝10∶1的混合液腐蚀硅片5～10秒钟，去除表面层，用水冲洗后，用光学显微镜拍摄硅片表面腐蚀形貌。