[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200710070055.X | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101097981A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;马向阳;章圆圆;陈培良;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电致发光器件，其特征在于它是二氧化钛电致发光的器件，由硅衬底(1)、自下而上依次沉积在硅衬底正面的TiO2薄膜(2)和ITO电极(3)以及沉积在硅衬底背面的欧姆接触电极(4)组成。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征是包括以下步骤：
1)将电阻率为0.005-50欧姆.厘米的P型或N型硅衬底清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室真空度抽至5×10-3Pa，以纯Ti金属为靶材，以Ar作为溅射气氛，在0.8Pa～5Pa压强下，衬底温度为50℃～200℃，进行溅射沉积，得到Ti膜；
2)将沉积有Ti膜的硅衬底加热至400℃～600℃，在O2气氛下热处理5h～10h，Ti氧化生成TiO2薄膜；
3)在TiO2薄膜上溅射透明ITO电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。
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