[发明专利]一种CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器

权利要求书

1.一种CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器，包括前置放大器和正反馈锁存器以及SR锁存器，其特征在于：

所述的前置放大器是以PMOS双差分对管为输入差分对，以一对二极管连接的NMOS管与一对正反馈连接的NMOS管并联连接为有源负载的电路结构；

所述的正反馈锁存器是两个交叉耦合的NMOS管、PMOS管对构成的一动态锁存器，一个NMOS输入差分对，两个通过时钟控制的NMOS使能管，一只复位管的电路结构；两个NMOS管、PMOS管对通过两个时钟控制的NMOS使能管连接到地，并在两个NMOS管、PMOS管对的两个输出再生节点P与N之间连接一只复位管；两个NMOS使能管连接一个时钟信号；

前置放大器和正反馈锁存器之间接入一对NMOS开关管；

正反馈锁存器与SR锁存器之间接入两个CMOS反相器，正反馈锁存器的两个输出再生节点P与N分别连接两个CMOS反相器中的一个的输入端，两个CMOS反相器的输出端分别与SR锁存器的输入端相连，SR锁存器的二路输出端为Q+和Q-。

2.根据权利要求1所述的CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器，其特征在于：所述的正反馈锁存器的两个输出再生节点P与N分别与两个CMOS反相器中的一个的输入端相连，同时两个输出再生节点P和N之间还连接了一个复位管，其复位电压设置等于电源电压的一半。

3.根据权利要求1所述的CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器，其特征在于：所述的正反馈锁存器的PMOS管对与NMOS管对的晶体管尺寸比值小于其载流子迁移率之比。

4.根据权利要求1或2所述的CMOS低功耗、低失调电压、低回程噪声比较器，其特征在于：所述的正反馈锁存器的两个输出再生节点之间的复位管是NMOS管。