[发明专利]一种具有内吸杂功能的掺锗硅片及其制备方法无效
| 申请号： | 200710070401.4 | 申请日： | 2007-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101165224A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;陈加和;马向阳;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/06 | 分类号： | C30B15/06;C30B33/02;C30B31/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 内吸杂 功能 硅片 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有内吸杂功能的掺锗硅片，硅片的氧浓度为5～15×1017cm-3，锗浓度为1×1013～1×1020cm-3，其特征是洁净区宽度为10～100μm，体微缺陷密度为1×105～1×1010cm-3。
2.权利要求1所述的具有内吸杂功能的掺锗硅片的制备方法，其特征是步骤如下，以下各步骤均在氩气或氮气的保护下进行：
1)将氧浓度为5～15×1017cm-3，锗浓度为1×1013～1×1020cm-3的掺锗直拉硅单晶片，于快速热处理炉中在1100～1300℃保温5～100秒，然后以10～100℃/秒的降温速率将硅片冷却到室温；
2)将经步骤1)处理的硅片置于扩散热处理炉中，在600～900℃保温4～50小时，然后以1～10℃/分钟升温速率将硅片升温到1000～1200℃；
3)将经步骤2)处理的硅片置于扩散热处理炉中，在1000～1200℃保温4～30小时，以50～200℃/分钟降温速率将硅片冷却到室温。
3.权利要求1所述的具有内吸杂功能的掺锗硅片的制备方法，其特征是步骤如下，以下各步骤均在氩气或氮气的保护下进行：
1)将氧浓度为5～15×1017cm-3，锗浓度为1×1013～1×1020cm-3的掺锗直拉硅单晶片，于快速热处理炉中在1100～1300℃保温5～100秒，然后以10～100℃/秒的降温速率将硅片冷却到室温；
2)将经步骤1)处理的硅片置于扩散热处理炉中，在1000～1200℃保温4～30小时后，再以50～200℃/分钟降温速率将硅片冷却到室温。
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