[发明专利]一种半导体激光透过率分析系统

权利要求书

1.一种半导体激光透过率分析系统，包括光发射单元、光接收单元和信号分析单元，所述光发射单元和光接收单元安装在被测介质的一侧或两侧；所述光发射单元包括半导体激光器、第一会聚透镜；其特征在于：所述第一会聚透镜相对半导体激光器的一端为斜面；所述半导体激光器与所述第一会聚透镜之间激光束主光线光程小于或等于7mm；所述第一会聚透镜的中间部分的A-A截面为任意几何形状，所述截面的最小覆盖圆的直径大于或等于25mm；所述半导体激光器发出的光通过所述第一会聚透镜后进入被测介质。

2.根据权利要求1所述的分析系统，其特征在于：所述第一会聚透镜的厚度大于或等于20mm。

3.根据权利要求1或2所述的分析系统，其特征在于：所述第一会聚透镜的中间部分的A-A截面为圆形，直径大于或等于25mm。

4.根据权利要求1或2所述的分析系统，其特征在于：所述第一会聚透镜的中间部分的A-A截面为矩形或正多边形，其最小覆盖圆的直径大于或等于25mm。

5.根据权利要求1或2所述的分析系统，其特征在于：所述第一会聚透镜的中间部分的A-A截面为不规则图形，其最小覆盖圆的直径大于或等于25mm。

6.根据权利要求1或2所述的分析系统，其特征在于：所述第一会聚透镜的前端安装紧固件。

7.根据权利要求1或2所述的分析系统，其特征在于：所述第一会聚透镜与所述光发射单元的壳体间安装密封件。

8.一种半导体激光透过率分析系统，包括光发射单元、光接收单元和信号分析单元，所述光发射单元和光接收单元安装在被测介质的一侧或两侧，所述光接收单元包括光接收器件、第二会聚透镜；其特征在于：所述第二会聚透镜相对光接收器件的一端为斜面；所述光接收器件与所述第二会聚透镜之间激光束主光线光程小于或等于7mm；所述第二会聚透镜的中间部分的A-A截面为任意几何形状，所述截面的最小覆盖圆的直径大于或等于25mm；从被测介质中穿过的光通过所述第二会聚透镜后被光接收器件接收。

9.根据权利要求8所述的分析系统，其特征在于：所述第二会聚透镜的厚度大于或等于20mm。