[发明专利]静电耗散陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710071983.8 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101279845A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 胡忠辉;李新江;刘永涛 | 申请（专利权）人： | 胡忠辉 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/10;C04B35/64;H01B1/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 耗散 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1. 一种静电耗散陶瓷材料，其组成成份包括：
A、氧化锆含量70～90％重量百分比，碳化钛含量10～30％重量百分比；
B、氧化铝含量70～90％重量百分比，碳化钛含量10～30％重量百分比；
C、氧化锆含量20～60％重量百分比，氧化铝含量20～60％重量百分比；碳化钛含量10～30％重量百分比。
2. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，表面电阻率为
3. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，体积电阻为104～109Ω·cm。
4. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，氧化锆的粒度为约0.05～5微米，氧化铝粒度为约0.05～5微米，碳化钛粒度为约0.5～5微米。
5. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，释放静电时所产生的最大静电流不大于3mA。
6. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，烧结体具有大于约95％理论密度的密度。
7. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，在材料中添加少量的氧化物导体或半导体，如SnO2、ZnO等。
8. 如权利要求1所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，材料的静电压小于10伏。
9. 如权利要求7所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，具有权利要求2、3、4、5、6和8所具有的材料性能和技术特征。
10. 如权利要求1和权利要求7所述的静电耗散陶瓷，其特征在于，材料的烧成温度为1550℃～1750℃，烧结气氛为真空烧结或氩气气氛保护烧结。
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