[发明专利]AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法

权利要求书

1.AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法，其特征在于它通过下述步骤实现：一、制得苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物薄膜，并使该薄膜的相分离形态为球形结构；二、利用AFM扫描探针敲击薄膜表面形成纳米压痕，以实现高密度信息存储中的“写入”过程；三、对该薄膜进行加热处理，薄膜表面的纳米压痕回复，实现存储信息的“擦除”。

2.根据权利要求1所述的AFM探针纳米压痕实现高密度信息存储的方法，其特征在于第一步骤中薄膜材料的制备采用下述步骤实现：利用苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物溶于二甲苯溶剂配成均一溶液；吸取一滴上述溶液滴在新劈开的云母片表面成膜，膜厚度为25nm，采用该膜作为样品，以环己烷为溶剂，室温下在密闭容器中进行熏蒸处理，当样品在环己烷溶剂熏蒸48至52小时，样品表面的相分离形态为均匀球状形态，制备完成。