[发明专利]一种采用磁控溅射制备薄膜的方法

权利要求书

1、一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：

步骤一、选用需镀膜材料作为靶材，并将衬底置于旋转加热台上，该加热台位于真空仓内；

步骤二、将真空仓密封，通过真空获得系统，将真空仓内抽成真空，当真空仓内真空度达到9.9×10^-4～1.0×10^-4帕时，通入Ar气，当真空仓内压强为3～5帕时，启动电离电源，对衬底表面进行电离清洗，电离清洗3～5分钟；

步骤三、电离清洗结束后，启动加热灯组，加热到沉积薄膜所需要的温度，加热至25～750℃，并且保温10分钟～1小时；

步骤四、向真空仓内通入启辉气体，当真空仓内气体压强在3～5帕时启辉，施加溅射功率，溅射功率为50～400瓦，进行预溅射3～10分钟，气体流量控制在10sccm～90sccm，真空仓内气体压强降至0.1～2帕，在衬底上加0～600伏的负偏压，移开挡板；

步骤五、采用步进电机来连续控制旋转加热台的转速，转速控制在15转/分钟内变化，同时用另一步进电机来控制加热台上方靶的运行轨迹，靶沿着加热台圆心向外圆以步长为2～5mm的间歇运动来控制向衬底表面镀膜；

步骤六、步骤五完成后，关闭电源，待真空仓内温度降至室温时即制得本发明的薄膜。

2、根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于制备直径为300mm、厚度为168nm的圆形平面薄膜，步骤二当真空仓内压强为7.5×10^-4帕时，通入Ar气，当真空仓内压强为3帕时，电离清洗5分钟；  步骤三加热到200℃保温30分钟；步骤四流量设为60sccm，同时关小闸板阀，待真空室气压为3帕时，打开射频电源启辉，溅射功率为80瓦，预溅射5分钟后，调节真空室压强为0.7帕，设定靶的镀膜控制参数2.0，2.0，2.1，2.4，2.8，2.9来控制加热台的转数与靶的位置后，在衬底上加300伏的负偏压，移开挡板；步骤五开始镀膜，镀膜时间为46分29秒后，关闭所有电源，待真空室恢复到室温后，打开真空仓，制得本发明的薄膜。

3、根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于制备直径为300mm、厚度为121nm圆形平面和薄膜，步骤二当真空仓内压强为1.5×10^-4帕时，通入Ar气，当真空仓内压强为4帕时，电离清洗4分钟；步骤三加热到50℃保温50分钟；步骤四流量设为20sccm，同时关小闸板阀，待真空室气压为4帕时，打开射频电源启辉，溅射功率为200瓦，预溅射4分钟后，调节真空室压强为0.5帕，设定靶的镀膜控制参数1.0，1.0，1.1，1.4，1.45来控制加热台的转数与靶的位置后，在衬底上加50伏的负偏压，移开挡板；步骤五开始镀膜，镀膜时间为18分46秒后，关闭所有电源，待真空室恢复到室温后，打开真空仓，制得本发明的薄膜。

4、根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射沉积制备薄膜的方法，其特征在于制备直径为160mm、厚度为122nm薄的圆形平面薄膜，步骤二当真空仓内压强为8.5×10^-4帕时，通入Ar气，当真空仓内压强为5帕时，电离清洗3分钟；步骤三加热到700℃保温20分钟；步骤四流量设为80sccm，同时关小闸板阀，待真空室气压为1帕时，打开射频电源启辉，溅射功率为80瓦，预溅射5分钟后，调节真空室压强为1帕，设定靶的镀膜控制参数1.33，1.2，1.4，1.6，1.87，0控制加热台的转数与靶的位置后，在衬底上加450伏的负偏压，移开挡板；步骤五开始镀膜，镀膜时间为10分15秒后，关闭所有电源，待真空室恢复到室温后，打开真空仓，制得本发明的薄膜。