[发明专利]低温多晶硅薄膜制作方法无效
| 申请号： | 200710073193.3 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101236898A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 叶冠华;吴宏基;黄荣龙 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 制作方法 | ||
1. 一种低温多晶硅薄膜制作方法，其包括以下步骤：
提供一基板，并在该基板上形成一缓冲层；
在该缓冲层上沉积一第一非晶硅薄膜；
通过一微影/刻蚀工艺，刻蚀该第一非晶硅薄膜，在该缓冲层上保留多个分散的非晶硅颗粒；
在该缓冲层上沉积一覆盖该非晶硅颗粒的第二非晶硅薄膜；
对该第二非晶硅薄膜进行再结晶工艺，使该第二非晶硅薄膜熔融后以该多个非晶硅颗粒为晶种再结晶，形成一多晶硅薄膜。
2. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该刻蚀的工艺为干式刻蚀法。
3. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该刻蚀的工艺为湿式刻蚀法。
4. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该相邻非晶硅颗粒的间距为0.5～3微米。
5. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该相邻非晶硅颗粒的间距为2微米。
6. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该再结晶工艺为一准分子激光退火再结晶工艺。
7. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该缓冲层是氧化硅层或氮化硅层或包含有氮化硅层及氧化硅层的多层结构。
8. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：形成该第一及第二非晶硅薄膜的方法为等离子增强化学气相沉积法或低压化学气相沉积法。
9. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：进一步对该多晶硅薄膜进行一平坦化工艺。
10. 如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制作方法，其特征在于：该平坦化工艺为等离子刻蚀法、化学湿式刻蚀法、准分子激光退火法的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
