[发明专利]移位寄存器及液晶显示装置有效
申请号: | 200710073259.9 | 申请日: | 2007-02-09 |
公开(公告)号: | CN101241247A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 江建学;陈思孝 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G09G3/36 |
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地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种移位寄存器及采用该移位寄存器的液晶显示装置。
背景技术
目前薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)液晶显示装置已逐渐成为各种数字产品的标准输出设备,在制造过程中,需要设计适当的驱动电路以保证其稳定工作。
通常,液晶显示装置的驱动电路包括一数据驱动电路及一扫描驱动电路。数据驱动电路用于控制每一像素单元的显示亮度,扫描驱动电路则用于控制薄膜晶体管的导通与截止。该二驱动电路均应用移位寄存器作为核心电路单元。通常,移位寄存器是由多个移位寄存单元串联而成,并且前一移位寄存单元的输出信号为后一移位寄存单元的输入信号。
请参阅图1,其是一种现有技术移位寄存器的移位寄存单元的电路图。该移位寄存单元100包括一第一时钟反相电路110、一换流电路120及一第二时钟反相电路130。该移位寄存单元100的各电路均由PMOS(P-channel Metal-OxideSemiconductor,P沟道金属氧化物半导体)型晶体管组成,每一PMOS型晶体管均包括一栅极、一源极及一漏极。
该第一时钟反相电路110包括一第一晶体管M1、一第二晶体管M2、一第三晶体管M3、一第四晶体管M4、一第一输出端VO1及一第二输出端VO2。该第一晶体管M1的栅极接收该移位寄存单元100的前一移位寄存单元的输出信号VS,其源极接收来自外部电路的高电平信号VDD,其漏极连接至该第二晶体管M2的源极。该第二晶体管M2的栅极及其漏极接收来自外部电路的低电平信号VSS。该第三晶体管M3及该第四晶体管M4的栅极均接收来自外部电路的反相时钟信号CK,两者的漏极分别作为该第一时钟反相电路110的第一输出端VO1及第二输出端VO2,且该第三晶体管M3的源极连接至该第一晶体管M1的漏极,该第四晶体管M4的源极连接至该第一晶体管M1的栅极。
该换流电路120包括一第五晶体管M5、一第六晶体管M6及一信号输出端VO。该第五晶体管M5的栅极连接至该第一输出端VO1,其源极接收来自外部电路的高电平信号VDD,其漏极连接至该第六晶体管M6的源极。该第六晶体管M6的栅极连接至该第二输出端VO2,其漏极接收来自外部电路的低电平信号VSS,其源极是该移位寄存单元100的信号输出端VO。
该第二时钟反相电路130包括一第七晶体管M7、一第八晶体管M8、一第九晶体管M9及一第十晶体管M10。该第七晶体管M7的栅极连接至该信号输出端VO,其源极接收来自外部电路的高电平信号VDD,其漏极连接至该第八晶体管M8的源极。该第八晶体管M8的栅极及其漏极均接收来自外部电路的低电平信号VSS。该第九晶体管M9的源极连接至该第一输出端VO1,其栅极接收来自外部电路的时钟信号CK,其漏极连接至该第七晶体管M7的漏极。该第十晶体管的栅极接收外部电路的时钟信号CK,其源极连接至该第二输出端VO2,其漏极连接至该信号输出端VO。
请一并参阅图2,其是该移位寄存单元100的工作时序图。在T1时间内,该前一移位寄存单元的输出信号VS由高电平跳变为低电平,反相时钟信号CK由低电平跳变为高电平,则使该第三晶体管M3及该第四晶体管M4截止,进而使该第一时钟反相电路110断开。而该时钟信号CK由高电平跳变为低电平,使该第九晶体管M9及该第十晶体管M10导通,进而使该第二时钟反相电路130导通,而该信号输出端VO初始状态的高电平经该第十晶体管M10,使该第六晶体管M6截止,而该第八晶体管M8输出的低电平经由该第九晶体管M9,使该第五晶体管M5导通,进而使其源极的高电平信号VDD输出至该信号输出端VO,故该信号输出端VO保持高电平输出。
在T2时间内,该反相时钟信号CK由高电平跳变为低电平,则使该第三晶体管M3及该第四晶体管M4导通,进而使该第一时钟反相电路110导通。而该时钟信号CK由低电平跳变为高电平,则使该第九晶体管M9及该第十晶体管M10截止,进而使该第二时钟反相电路130断开。该输入信号VS由高电平跳变为低电平,则使该第一晶体管M1导通,其源极的高电平VDD经该第三晶体管M3截止该第五晶体管M5,且该输入信号VS的低电平经该第四晶体管M4导通该第六晶体管M6,使该信号输出端VO输出低电平。
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