[发明专利]一种高密度碳纳米管阵列的制备方法在审

专利信息
申请号: 200710075316.7 申请日: 2007-07-25
公开(公告)号: CN101353164A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 王鼎;宋鹏程;刘长洪;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市海淀区清华*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 高密度 纳米 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高密度碳纳米管阵列的制备方法,包括以下步骤:提供一形成于一基底的碳纳米管阵列;提供一高弹性薄膜;均匀拉伸上述的高弹性薄膜后,附着在上述碳纳米管阵列上,同时对该高弹性薄膜均匀地施加压力;保持压力并收缩高弹性薄膜,撤去压力后,分离碳纳米管阵列与高弹性薄膜,从而得到高密度碳纳米管阵列。

2.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的高弹性薄膜材料为硅橡胶、顺丁橡胶、天然橡胶、异戊橡胶或丁苯橡胶。

3.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的均匀拉伸为一维拉伸或者二维拉伸。

4.如权利要求3所述的的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的一维拉伸为在上述的高弹性薄膜的长度或宽度方向上拉伸。

5.如权利要求3所述的的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的二维拉伸为在上述的高弹性薄膜的长度和宽度两个方向上同时拉伸。

6.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的将高弹性薄膜附着在碳纳米管阵列上,其具体制备过程为将高弹性薄膜附着在碳纳米管阵列远离基底的一端。

7.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的施加压力的方向为垂直于基底方向。

8.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的收缩高弹性薄膜为一维收缩高弹性薄膜或二维收缩高弹性薄膜。

9.如权利要求8所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的一维收缩高弹性薄膜为通过在高弹性薄膜的长度或宽度方向上收缩高弹性薄膜。

10.如权利要求8所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的二维收缩高弹性薄膜为通过在高弹性薄膜的长度和宽度两个方向上同时收缩高弹性薄膜。

11.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述的分离碳纳米管阵列和高弹性薄膜的方法为机械法。

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