[发明专利]高密度碳纳米管阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种高密度碳纳米管阵列，包括多个碳纳米管，其特征在于，该高密度碳纳米管阵列中的碳纳米管排列紧密，且定向排列，具有类一维单晶结构，密度大于等于0.8g/cm³，且小于等于2.2g/cm³。

2.如权利要求1所述的高密度碳纳米管阵列，其特征在于，所述的高密度碳纳米管阵列包括单壁高密度碳纳米管阵列、双壁高密度碳纳米管阵列或多壁高密度碳纳米管阵列中的一种。

3.一种高密度碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；沿着平行于基底的方向，施加压力挤压上述碳纳米管阵列，从而得到高密度碳纳米管阵列。

4.如权利要求3所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的碳纳米管阵列的制备包括以下步骤：提供一平整基底；在基底表面形成一催化剂层；将上述形成有催化剂层的基底在空气中退火；将处理过的基底置于低压反应炉中加热，然后通入碳源气体反应，生长得到碳纳米管阵列。

5.如权利要求3所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的施加压力是通过一挤压装置对碳纳米管阵列进行挤压。

6.如权利要求5所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的挤压装置包括一下压板，一上压板，两个第一侧板与两个第二侧板设置于上压板和下压板之间，并在上压板和下压板之间的中心位置形成一空腔。

7.如权利要求6所述的的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的上压板通过螺丝对称地固定于下压板上，上压板的面积与下压板相等。

8.如权利要求7所述的的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的两个第一侧板沿第一方向对称地分布于空腔的两侧，两个第二侧板沿第二方向对称地分布于空腔的另外两侧，其中，第一方向与第二方向相互垂直。

9.如权利要求8所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的通过一挤压装置对碳纳米管阵列进行挤压包括以下步骤：用第一侧板沿着第一方向相对移动，对碳纳米管阵列进行挤压；之后，用第二侧板沿着第二方向相对移动，对碳纳米管阵列进行挤压。

10.如权利要求9所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的用第一侧板沿着第一方向相对移动，对碳纳米管阵列进行挤压包括以下步骤：通过两个第二侧板固定碳纳米管阵列；通过两个第一侧板沿第一方向相对移动，对碳纳米管阵列进行挤压。

11.如权利要求9所述的高密度碳纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述的用第二侧板沿着第二方向相对移动，对碳纳米管阵列进行挤压包括以下步骤：通过两个第一侧板固定碳纳米管阵列；通过两个第二侧板沿第二方向相对移动，对碳纳米管进行挤压。