[发明专利]一株特效厌氧反硝化菌及其处理废水的方法无效
申请号: | 200710076961.0 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101386823A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 金文标;赵勇娇;闫韫;张国栋 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C02F3/34;C02F3/28;C12R1/38 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人: | 胡吉科 |
地址: | 518055广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 特效 厌氧反 硝化 及其 处理 废水 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及生物技术领域,尤其是关于一株特效厌氧反硝化菌及其处理废水的方法。
【背景技术】
氮素污染不仅可引起水体富营养化,造成水生植物和藻类过度生长,使水质迅速恶化,而且会降低水体观赏价值,危害水生生物的生存。水中硝态氮(硝酸盐和亚硝酸)含量过高会影响人类健康,诱发高铁血红蛋白血症和胃癌。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题是,克服现有技术的不足,提供一种成本低、稳定高效除氮、无二次污染的特效厌氧反硝化及其处理废水的方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一株特效厌氧反硝化菌,该菌株为HJD07,厌氧反硝化菌菌菌株,保藏号为CGMCC№2163,保藏日期为2007年09月13日。
所述的厌氧反硝化菌菌株从淤泥中分离得到,该厌氧反硝化菌在25℃~35℃,pH值为6.5~8.0,富集培养基中培养,分离培养基中分离。
所述的厌氧反硝化菌菌株从河底淤泥中分离得到,该厌氧反硝化菌菌株适宜在温度为30℃,pH值为7.0~7.2,富集培养基中培养,分离培养基中分离。
所述的富集培养基成分为:葡萄糖5g、硫酸铵2g、硫酸镁0.02g、柠檬酸钠1g、磷酸二氢钾4g、磷酸氢二钾6g、蒸馏水1000mL,pH值7.0~7.2,固体培养基另加琼脂2%(W/V,即在100毫升培养基中用的琼脂是2克)。
所述的分离培养基成分为:葡萄糖5g、亚硝酸钾2g、硫酸镁0.2g、氯化钠1g、磷酸二氢钾4g、磷酸氢二钾6g、蒸馏水1000mL,pH值为7.0~7.2,固体培养基另加琼脂2%(W/V,即在100毫升培养基中用的琼脂是2克)。
所述的厌氧反硝化菌菌株从河底淤泥中分离得到,该厌氧反硝化菌菌株适宜在温度为30℃,密闭培养3天;在富集培养基成分为葡萄糖5g、硫酸铵2g、硫酸镁0.02g、柠檬酸钠1g、磷酸二氢钾4g、磷酸氢二钾6g、蒸馏水1000mL,pH值7.0~7.2,固体培养基另加琼脂2%(W/V,即在100毫升培养基中用的琼脂是2克)中培养,培养基变混浊后,同样条件下振荡培养3天;在温度为30℃时,分离培养基成分为葡萄糖5g、亚硝酸钾2g、硫酸镁0.2g、氯化钠1g、磷酸二氢钾4g、磷酸氢二钾6g、蒸馏水1000mL,pH值为7.0~7.2,固体培养基另加琼脂2%(W/V,即在100毫升培养基中用的琼脂是2克)中分离。
所述的厌氧反硝化菌菌株属于施氏假单胞菌株(Pseudomonasstutzeri),主要特征为:菌落为乳白色、圆形、无突起、边缘规则、粘稠,菌落大小为1~2mm;菌株个体呈弯杆状,宽为0.5~0.8μm,长0.7~1.2μm,无芽孢,具端生鞭毛,丛生,能运动。
所述的厌氧反硝化菌菌株的生理生化特征表现为:革兰氏染色阴性,氧化酶阳性,接触酶阳性,可利用多种碳源,不需要生长因子。
一种利用所述的一株特效厌氧反硝化菌处理含氮污水的方法,包括如下步骤:
a)厌氧反硝化菌菌株的培养;
b)厌氧反硝化菌菌株的分离;
c)厌氧反硝化菌菌株与污水反应除氮;
d)回收厌氧反硝化菌菌株,循环使用。
环境因素对所述的厌氧反硝化菌菌株影响的主次顺序为:Cu2+>温度>碳源>C/N>pH值,在以甘油为碳源、pH值为7.5、温度为32℃、C/N比为3∶1、铜离子浓度为5mg/L时,所述的厌氧反硝化菌菌株有最大反硝化能九。
本发明的有益效果是,通过厌氧反硝化处理废水,成本低、除氮高效稳定、无二次污染,从而有效地处理了含氮废水,保护环境。
【附图说明】
图1是不同温度对HJD07菌株的影响曲线图;
图2是不同pH对HJD07菌株的影响曲线图;
图3是HJD07菌株应用于深圳市布吉河水质净化厂对氮的去除效果曲线图。
【具体实施方式】
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学深圳研究生院,未经哈尔滨工业大学深圳研究生院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710076961.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置的制造方法
- 下一篇:灯