[发明专利]场发射光源无效

专利信息
申请号: 200710077011.X 申请日: 2007-09-07
公开(公告)号: CN101383264A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 付伟琦;魏洋;柳鹏;刘亮;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J63/02 分类号: H01J63/02;H01J63/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市海淀区清华*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发射 光源
【权利要求书】:

1.一种场发射光源,包括基座、支撑体、壳体、阴极及阳极,所述壳体安装在所述基座上从而与所述基座定义出一收容空间,所述支撑体包括第一端与第二端,所述支撑体的第一端与所述基座相连,所述第二端自所述第一端向所述收容空间内延伸,所述阴极连接在所述第二端上,所述阳极设置于所述壳体内壁上,所述阳极上设置有荧光粉,其特征在于,所述阴极包括基体,所述基体表面设置有碳纳米管,所述基体呈多面体状、球状或椭球状。

2.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述壳体为球状、椭球状或梨状。

3.如权利要求2所述的场发射光源,其特征在于,所述基体与所述壳体同心设置。

4.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述基体表面设置有一层导电粘结层,所述碳纳米管粘结在所述导电粘结层上。

5.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述导电粘结层为银胶。

6.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述阳极为透明导电膜。

7.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述透明导电膜为氧化铟锡薄膜。

8.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述阳极为铝膜。

9.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述壳体内设置有吸气剂。

10.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳变管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710077011.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top