[发明专利]场发射光源无效
申请号: | 200710077011.X | 申请日: | 2007-09-07 |
公开(公告)号: | CN101383264A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 付伟琦;魏洋;柳鹏;刘亮;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J63/02 | 分类号: | H01J63/02;H01J63/06 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 光源 | ||
1.一种场发射光源,包括基座、支撑体、壳体、阴极及阳极,所述壳体安装在所述基座上从而与所述基座定义出一收容空间,所述支撑体包括第一端与第二端,所述支撑体的第一端与所述基座相连,所述第二端自所述第一端向所述收容空间内延伸,所述阴极连接在所述第二端上,所述阳极设置于所述壳体内壁上,所述阳极上设置有荧光粉,其特征在于,所述阴极包括基体,所述基体表面设置有碳纳米管,所述基体呈多面体状、球状或椭球状。
2.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述壳体为球状、椭球状或梨状。
3.如权利要求2所述的场发射光源,其特征在于,所述基体与所述壳体同心设置。
4.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述基体表面设置有一层导电粘结层,所述碳纳米管粘结在所述导电粘结层上。
5.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述导电粘结层为银胶。
6.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述阳极为透明导电膜。
7.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述透明导电膜为氧化铟锡薄膜。
8.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述阳极为铝膜。
9.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述壳体内设置有吸气剂。
10.如权利要求1所述的场发射光源,其特征在于,所述碳纳米管为单壁碳纳米管或多壁碳纳变管。
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