[发明专利]可调式高压负离子产生装置

权利要求书

1.一种可调式高压负离子产生装置，至少包括有：

一输入电路，用于提供电源，其至少包含有交流电源、桥式整流器、滤波 电容、滤波电感以及一限流电阻；

一放电电路，用于产生负离子，其至少包含有一开关管、一储能电容、一 自耦变压器、一整流二极管以及一受体；以及

一脉冲宽度调制电路，用于控制开关管；其中，

桥式整流器的两输入端连接交流电源的两输出端，桥式整流器的第一输出 端依次通过滤波电感、限流电阻连接自耦变压器的初级绕组的第一端，滤波电 容的一端连接滤波电感和限流电阻的连接点，滤波电容的另一端连接桥式整流 器的第二输出端，自耦变压器的次级绕组的第一端接整流二极管的负极，整流 二极管的正极接受体，自耦变压器的初级绕组的第二端和次级绕组的第二端一 并通过储能电容连接桥式整流器的第二输出端，开关管的漏极接自耦变压器的 初级绕组的第一端，开关管的源极接桥式整流器的第二输出端，开关管的栅极 接脉冲宽度调制电路；

该装置在接入电源后，根据环境条件变化改变脉冲宽度调制频率。

2.根据权利要求1所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述脉冲宽度调制电路选择手动方式或自动计时装置进行调整内部电路数值的 方式。

3.根据权利要求1所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述脉冲宽度调制电路的频率调整范围在100Hz～10KHz之间。

4.根据权利要求1所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述自耦变压器的高压线圈的初次级匝数比的范围设定在1∶10～1∶250之间。

5.根据权利要求1所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述整流二极管为一只以上的耐压在1KV～10KV的二极管。

6.一种可调式高压负离子产生装置，至少包括有：

一输入电路，用于提供电源，其至少包含有直流电源以及一限流电阻；

一放电电路，用于产生负离子，其至少包含有一开关管、一储能电容、一 自耦变压器、一整流二极管以及一受体；以及

一脉冲宽度调制电路，用于控制开关管，其中，

直流电源的第一输出端通过限流电阻连接自耦变压器的初级绕组的第一 端，自耦变压器的次级绕组的第一端接整流二极管的负极，整流二极管的正极 接受体，自耦变压器的初级绕组的第二端和次级绕组的第二端一并通过储能电 容连接直流电源的第二输出端，开关管的漏极接自耦变压器的初级绕组的第一 端，开关管的源极接直流电源的第二输出端，开关管的栅极接脉冲宽度调制电 路。

7.根据权利要求6所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述脉冲宽度调制电路选择手动方式或自动计时装置进行调整内部电路数值的 方式。

8.根据权利要求6所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述脉冲宽度调制电路的频率调整范围在100Hz～10KHz之间。

9.根据权利要求6所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述自耦变压器的高压线圈的初次级匝数比的范围设定在1∶10～1∶250之间。

10.根据权利要求6所述的可调式高压负离子产生装置，其特征在于，所 述整流二极管为一只以上的耐压在1KV～10KV的二极管。