[发明专利]镁基复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种镁基复合材料的制备方法，其包括以下步骤：

提供至少二镁基板和至少一纳米级增强体薄膜，所述纳米级增强体薄膜为一 连续的结构，所述镁基板包括镁基金属;

将该纳米级增强体薄膜设置于二镁基板之间，形成一预制体；以及

热轧该预制体，所述镁基金属渗入所述纳米级增强体薄膜的间隙中，形成镁 基复合材料，

其特征在于，所述的预制体的形成进一步包括以下步骤：

分别在至少二镁基板一表面形成至少一过渡层，所述过渡层为镍金属层或含 镍的合金层；

将纳米级增强体薄膜设置于至少二镁基板的过渡层之间，形成一预制体。

2.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法，其特征在于，所述的含镍合金 层为镍和镁、铝、锌中的一种或多种组成的合金。

3.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法，其特征在于，所述的过渡层的 形成方法为蒸镀法、溅射法及沉积法中的一种。

4.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法，其特征在于，所述的预制体的 形成进一步包括以下步骤：

提供一第一镁基板；

在第一镁基板一表面生长一碳纳米管阵列；以及

提供一第二镁基板覆盖在碳纳米管阵列上，形成一预制体。

5.如权利要求1所述的镁基复合材料的制备方法，其特征在于，进一步包括对 镁基复合材料进行退火处理过程。

6.一种利用如权利要求1至权利要求5中任一项所述的镁基复合材料的制备方 法所制备的镁基复合材料，包括镁基金属，其特征在于，该镁基复合材料进 一步包括至少一纳米级增强体薄膜设置于上述镁基金属中，所述纳米级增强 体薄膜为一连续的结构，所述镁基金属渗入所述纳米级增强体薄膜的间隙 中，所述镁基复合材料为多层结构，该多层结构包括至少两层镁基金属层与 至少一层镁基复合层，该镁基金属层与镁基复合层交替排布，镁基复合层位 于镁基金属层之间，该纳米级增强体薄膜位于镁基复合层中。

7.如权利要求6所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的纳米级增强体薄膜 为单层薄膜或多层薄膜。

8.如权利要求7所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的纳米级增强体薄膜 中纳米级增强体为无序排列，沿不同方向有序排列或择优取向排列。

9.如权利要求6所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的纳米级增强体薄膜 为自支撑薄膜结构。

10.如权利要求6所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的纳米级增强体薄 膜为碳纳米管薄膜或碳纤维薄膜。

11.如权利要求6所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的镁基复合材料中纳 米级增强体薄膜的质量百分含量为0.5%至2%。

12.如权利要求6所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的镁基金属为纯镁或 镁合金。

13.如权利要求12所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的镁合金为镁和锡、 锌、锰、铝、锆、钍、锂、银、钙中的一种或多种组成的合金。

14.如权利要求13所述的镁基复合材料，其特征在于，所述的镁合金中镁的质 量百分含量大于80%。