[发明专利]无引脚扁平封装类非密脚型器件的锡膏印刷钢网开口方法无效
申请号: | 200710078019.8 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101179035A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 刘庆庆;瞿金贵;黄利成;朱锦臣 | 申请(专利权)人: | 中国振华(集团)科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34;B41F15/08 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引脚 扁平封装 类非密 脚型 器件 印刷 开口 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子器件生产的单工序工艺方法,进一步来说,涉及电路基板的表面组装技术,具体而言,涉及无引脚扁平封装(QFN)类非密脚型器件的锡膏印刷钢网开口方法。
技术背景
QFN封装具有良好的电和热性能、体积小、重量轻等优点,已成为许多新应用的理想选择。在印制板上,封装的大面积裸露焊盘与其相对应的热焊盘尺寸相同;导电焊盘与其相对应的四周焊盘尺寸相似,仅外向稍长。在QFN封装器件的贴装过程中,由于QFN元件具有用来提高散热和电气性能的、中间暴露的大焊盘,同时其周围布满均匀的管脚,所以需要严格的工艺过程优化工作以保证组装合格率。
QFN使用底部焊接端子,而不是可塌落的焊锡球连接,这种端子影响湿润、焊点塌落、自我对中,且焊接接触面容易受外界污染,从而大大地缩小了模版印刷和元件贴装的工艺窗口。目前一般接地部分开孔面积占印制电路板上焊盘的70%~90%,开口方式通常为“田”字或多个“田”字组合,有方形也有圆形,周边引脚用1∶1开孔。在生产过程中,这样的开孔法会产生一些工艺缺陷,例如周边引脚常有锡珠产生,或由于接地部分焊盘上的锡过量或融化不完全,将芯片顶起,从而造成周边引脚的虚焊现象。
经检索,目前涉及无引脚扁平封装的专利技术仅有200410044395.1号“一种无引脚封装类器件的返修方法”,尚无QFN器件的锡膏印刷钢网开口方法的申请件。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无引脚扁平封装类非密脚型器件的锡膏印刷钢网开口方法,以改变钢网形状,增大接地焊盘处锡膏几何形状的边长,使融化时产生的张力分布更均匀,从而克服现有技术的缺陷,提高QFN封装器件的质量。
发明人在长期的实践和试验中,发现了开孔面积占印制电路板上焊盘的70%~90%以及开口方式为“田”字对产品质量的影响,经过反复研究,总结出在接地焊盘中开孔面积占焊盘面积50%~70%较为合适;对于非密脚型器件,还要考虑其引脚处容易产生锡珠的特点。
基于上述认识,发明人所提供的无引脚扁平封装类非密脚型器件的锡膏印刷钢网开口方法包括以下2个内容:(1)接地焊盘采用与引脚焊盘面积相同的矩形作矩阵分布间隔;(2)将引脚处的焊盘设计成梯形,其面积占焊盘面积的70%~80%。
发明人指出:接地焊盘采用与引脚焊盘面积相同的矩形作矩阵分布间隔,可以增大接地焊盘处锡膏几何形状的边长,有利于锡膏的融化和提高融化后的扩展能力,使融化时产生的张力分布得更均匀,避免QFN芯片在锡膏融化时产生漂移现象;将引脚处的焊盘设计成梯形可以使锡膏融化时芯片对引脚处熔融状态的锡产生的压力不至于将锡压出焊盘产生锡珠,从而提高QFN芯片的接地散热性。
本发明方法通过锡膏印刷钢网开口的创新,确保钢板开口过程中的激光切割精度,保证开口的对称性,同时可有效地减少组装时QFN芯片起锡珠的现象,提高QFN芯片的接地散热性。
附图说明
通过以下附图进一步说明本发明:
图1为印制电路板焊盘形状示意图,图2为传统钢网开口示意图,图3为本发明提供的钢网开口示意图。图中,1为接地焊盘,2为引脚处的焊盘。
从图3与图2的比较可看出,本发明的接地焊盘1由与引脚焊盘2面积相同的矩形作矩阵分布间隔,引脚处的焊盘2为梯形。
具体实施方式
对于无引脚扁平封装类非密脚型器件的锡膏印刷钢网,采用如附图3的开口方法,即接地焊盘1由与引脚焊盘2面积相同的矩形作矩阵分布间隔;引脚处的焊盘2全部设计为梯形。
采用本发明的钢网开口方法,由于QFN器件引起的缺陷占整个制程总缺陷的比例,从原来的2.1%减少到0.46%,有效地提高了产品质量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造