[发明专利]靶材以及该靶材所制造的薄膜无效
| 申请号： | 200710078740.7 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101245443A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李仲仁;赵勤孝;毛庆中 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄健 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 以及 制造 薄膜 | ||
1.一种靶材，其元素组成为IBx-IIIAy-VIAz；其中，
IB选自于以下群组中的至少一种：Cu及Ag；
IIIA选自于以下群组中的至少一种：In及Ga；
VIA选自于以下群组中的至少一种：S、Se及Te；
x为IB含量的原子百分比、y为IIIA含量的原子百分比、z为VIA含量的原子百分比，且满足0＜x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1，x+y+z＝1；
且该靶材由包括以下步骤的方法所制成：
形成预合金：将一靶材元素与靶材元素组成中一种以上的其它元素合成预合金；
造粉：将预合金制成粉末；
混粉：将所述粉末直接混合或再与靶材元素组成中的其它元素或预合金粉末混合；
烧结：混合粉末经烧结后形成靶材。
2.如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA为In-Ga，VIA为Se。
3.如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA为Ga，VIA为Se。
4.如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA为In，VIA为Se。
5.如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu或Ag或Cu-Ag，IIIA为In-Ga，VIA为S。
6.如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu，IIIA为In-Ga，VIA为Te。
7.如权利要求1所述的靶材，其中的IB为Cu，IIIA为In，VIA为Te。
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