[发明专利]去除光致抗蚀剂、蚀刻残余物和BARC的配制料有效
申请号: | 200710078973.7 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101187789B | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | M·I·埃贝;M·W·勒根扎 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;G03F7/36;G03F7/26;C11D3/26;C11D3/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘锴;段晓玲 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 光致抗蚀剂 蚀刻 残余物 barc 配制 | ||
1.一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、BARC和/或蚀刻残余物 的配制料,其中该配制料包括:氢氧化铵、2-氨基苯并噻唑、
0-60重量%的水溶性的有机溶剂,其选自二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、 二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基-2-哌啶酮、四氢糠醇、甘 油、乙二醇、亚砜、丙二醇、四氢糠醇、双丙酮醇、1,4-环己烷二甲醇、乙二醇 醚及它们的混合物所组成的群组、
0-20重量%的腐蚀抑制剂,该腐蚀抑制剂选自甲苯基三唑、苯并三唑、间 苯二酚、马来酸酐、邻苯二甲酸酐、儿茶酚、连苯三酚、羧基苯并三唑、果糖、 硫代硫酸铵、甘氨酸、四甲基胍、亚氨基二乙酸、二甲基乙酰乙酰胺、三羟基 苯、二羟基苯、水杨基羟肟酸及它们的混合物所组成的群组、
余量的水,并且该氢氧化铵不含有超过100ppm的污染物金属。
2.权利要求1所述的配制料,其不含有氧化剂或磨粒。
3.权利要求1所述的配制料,其中该氢氧化铵是氢氧化四甲基铵。
4.权利要求1所述的配制料,其进一步包括0-10重量%的有机酸,该有 机酸选自柠檬酸、邻氨基苯甲酸、没食子酸、苯甲酸、丙二酸、马来酸、富马 酸、D,L-苹果酸、异酞酸、邻苯二甲酸、乳酸及它们的混合物所组成的群组。
5.权利要求1所述的配制料,其进一步包括选自表面活性剂、鳌合剂、化 学改性剂、染料、生物杀灭剂及它们的混合物所组成的群组的添加剂,条件是 该添加剂不会不利地影响该配制料的剥离和清洗能力或下面的金属、硅、二氧 化硅、层间介电体材料、低-k和/或高-k材料的完整性。
6.一种去除光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、BARC和/或蚀刻残余物 的配制料,其中该配制料包括:氢氧化四甲基铵、甲苯基三唑、丙二醇、2-氨基 苯并噻唑、二丙二醇单甲醚、余量的水,并且该氢氧化四甲基铵不含有超过100 ppm的污染物金属。
7.权利要求6所述的配制料,其中该配制料包括:氢氧化四甲基铵1-15 重量%、甲苯基三唑1-5重量%、丙二醇5-15重量%、2-氨基苯并噻唑1-10 重量%、二丙二醇单甲醚20-45重量%、余量的水。
8.权利要求6所述的配制料,其中该配制料包括:氢氧化四甲基铵6.5重 量%、甲苯基三唑3重量%、丙二醇10重量%、2-氨基苯并噻唑6重量%、二丙 二醇单甲醚39重量%、余量的水。
9.权利要求6所述的配制料,其中该配制料包括:氢氧化四甲基铵5重量 %、甲苯基三唑3重量%、丙二醇12.13重量%、2-氨基苯并噻唑1.5重量%、二 丙二醇单甲醚40重量%、余量的水。
10.一种从基底去除选自光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、蚀刻残余物、 BARC以及它们的组合的物质的方法,其包括:将根据权利要求1的配制料施 用到所述基底从而从所述基底去除所述物质。
11.权利要求10所述的方法,其中该配制料不含有氧化剂或磨粒。
12.权利要求10所述的方法,其中该配制料进一步包括0-10重量%的有 机酸,该有机酸选自柠檬酸、邻氨基苯甲酸、没食子酸、苯甲酸、丙二酸、马 来酸、富马酸、D,L-苹果酸、异酞酸、邻苯二甲酸、乳酸及它们的混合物所组 成的群组。
13.权利要求10所述的方法,其中该配制料进一步包括选自表面活性剂、 鳌合剂、化学改性剂、染料、生物杀灭剂及它们的混合物所组成的群组的添加 剂,条件是该添加剂不会不利地影响该配制料的剥离和清洗能力或下面的金属、 硅、二氧化硅、层间介电体材料、低-k和/或高-k材料的完整性。
14.一种从基底去除选自光致抗蚀剂、离子注入光致抗蚀剂、蚀刻残余物、 BARC以及它们的组合的物质的方法,其包括:将根据权利要求6的配制料施 用到所述基底从而从所述基底去除所述物质。
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