[发明专利]一种保护静电放电的硅控整流器有效

申请号：	200710079578.0	申请日：	2007-03-01
公开（公告）号：	CN101257005A	公开（公告）日：	2008-09-03
发明（设计）人：	石俊;王政烈	申请（专利权）人：	和舰科技（苏州）有限公司
主分类号：	H01L23/60	分类号：	H01L23/60
代理公司：	北京连和连知识产权代理有限公司	代理人：	包红健
地址：	215123江苏省***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种保护静电放电整流器
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1. 一种保护静电放电的硅控整流器，包括

衬底；

至少一个N阱和/或至少一个P阱，设于上述衬底的上方；

分别含有至少一个触点的第一N+区域和第一P+区域，形成于上述N阱或N型衬底，用作上述硅控整流器的阳极；

分别含有至少一个触点的第二N+区域和第二P+区域，形成于上述P阱或P型衬底，用作上述硅控整流器的阴极；

其特征是，上述第一P+区域位于上述硅控整流器的基本中部位置，上述第一N+区域、上述第二N+区域和上述第二P+区域的形状为由内向外依次顺序排列的闭合环状或中空的多边形，其中，上述第一P+区域位于上述第一N+区域的中空部，第一N+区域位于上述第二N+区域的中空部，上述第二N+区域位于上述第二P+区域的中空部。

2. 根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征是还包括

由内向外依次顺序排列的呈闭合环状或中空的多边形的附加第二N+区域、第三N+区域、第三P+区域、附加第三N+区域、第四N+区域和第四P+区域，上述区域均含有至少一个触点，

其中，附加第二N+区域位于上述第二P+区域外侧，与第二P+区域和第二N+区域共同构成上述硅控整流器的阴极，

第三N+区域、第三P+区域和附加第三N+区域用作上述硅控整流器的另一阳极，

第四N+区域和第四P+区域用作上述硅控整流器的另一阴极。

3. 根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征是上述用于阳极的N+区域和用于阴极的N+区域之间还包括一个作为触发点的N+区域。

4. 根据权利要求3所述的硅控整流器，其特征是还包括

其中，附加第二N+区域位于上述第二P+区域外侧，与第二P+区域和第二N+区域共同构成上述硅控整流器的阴极，

第三N+区域、第三P+区域和附加第三N+区域用作上述硅控整流器的另一阳极，

第四N+区域和第四P+区域用作上述硅控整流器的另一阴极。

5. 根据权利要求1所述的硅控整流器，其特征是上述用于阳极的N+区域和用于阴极的N+区域之间还包括另一个作为阳极的N+区域，且其下方还包含一P-区域。

6. 根据权利要求5所述的硅控整流器，其特征是还包括