[发明专利]一种具有陷光结构的硅薄膜光电池

权利要求书

1. 一种具有陷光结构的硅薄膜光电池，基本结构由下而上为玻璃基片10、二氧化硅隔离层11、透明导电薄膜12、P型半导体硅层13、I型半绝缘硅层14、N型半导体硅层15、银和抗氧化金属组成的复合薄膜反射电极16，其特征在于：在所述的反射电极下面的硅层具有在低熔点金属非连续岛状薄膜保护下刻蚀形成的横向尺寸和厚度方向尺寸都小于300纳米的小岛状的起伏表面。

2. 一种具有陷光结构的硅薄膜光电池的制备方法，其过程依次包括：制备二氧化硅隔离层、制备透明导电薄膜、制备P型半导体硅层、制备I型半绝缘硅层、制备N型半导体硅层、制备银反射薄膜、制备抗氧化金属薄膜，其特征在于，在制备银反射薄膜之前，对N型半导体硅层进行刻蚀，其步骤为：

1)制备一层金属锡、铅、铟或铋薄膜，制备时控制衬底温度，使之成为非连续岛状薄膜；

2)以该岛状薄膜为掩模，对N型半导体硅层进行干法或湿法刻蚀；

3)在酸中腐蚀掉剩余掩模；

4)继续制备银反射薄膜和抗氧化金属薄膜。