[发明专利]薄膜形成基板及其薄膜形成装置

权利要求书

1. 一种薄膜形成基板，其特征在于该薄膜形成基板结构如下：将在基板上堆积了ZnO化合物的透明薄膜形成基板曝于氢等离子体中，使透明薄膜的电阻率减小，使导电性薄膜改性。

2. 根据权利要求1所述的薄膜形成基板，其特征在于，将上述透明薄膜形成基板曝于微波氢等离子体中，使导电性薄膜改性。

3. 根据权利要求1所述的薄膜形成基板，其特征在于该薄膜形成基板结构如下：将Zn材料曝于微波氧等离子体中，作为ZnO化合物在基板上堆积，形成上述透明薄膜形成基板，将该透明薄膜形成基板曝于微波氢等离子体中，使导电性薄膜改性。

4. 一种薄膜形成装置，其特征在于，将在基板上堆积了ZnO化合物的透明薄膜形成基板曝于氢等离子体中，使透明薄膜的电阻率减小，使导电性薄膜改性。

5. 根据权利要求4所述的薄膜形成装置，其特征在于，上述透明薄膜形成基板结构如下：使作为成膜材料的Zn材料蒸发，将蒸发后的Zn材料曝于微波氧等离子体中，作为ZnO化合物在基板上堆积。

6. 一种薄膜形成装置，其特征在于，该薄膜形成装置具有氧等离子体发生机构，该氧等离子体发生机构在减压室内供给微波电力和氧气，以使产生微波氧等离子体；氢等离子体发生机构，该氢等离子体发生机构向上述减压室供给微波电力和氢气，以使产生微波氢等离子体；蒸发机构，该蒸发机构设置于上述减压室内，对作为成膜材料的Zn材料进行蒸发；基板，该基板设置于上述减压室内，根据上述微波氧等离子体进行加热，该薄膜形成装置特征在于，产生氧等离子体、蒸发，根据微波氧等离子体氧化后的Zn材料而形成的ZnO化合物在上述基板上堆积、成膜，改变氧等离子体而产生微波氢等离子体，将在上述基板成膜后的ZnO薄膜曝于氢等离子体中，减小电阻率、使导电性薄膜改性。

7. 根据权利要求6所述的薄膜形成装置，其特征在于，上述等离子体发生机构将供给微波电力的微波窗设在减压室内的底部侧，将上述蒸发机构设在与该微波窗相同高度的减压室内的底部侧、或者比微波窗高的位置的减压室的内侧位置。