[发明专利]用于PDP的保护层材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710079693.8 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101162674A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金廷硕;郑锡;金有汉;表进镐;金容奭;朴京贤 | 申请（专利权）人： | 株式会社希岩肯 |
| 主分类号： | H01J17/02 | 分类号： | H01J17/02;H01J17/04;H01J11/02;H01J9/02;H01J9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 pdp 保护层 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于AC PDP的保护层，所述保护层使用沉积源经过真空沉积方法形成，所述沉积源包含选自BeO和CaO的至少一种第一掺杂材料以及选自Sc2O3，Sb2O3，Er2O3，Mo2O3和Al2O3的至少一种第二掺杂材料。
2.如权利要求1所述的保护层，其中将50ppm～8000ppm的第一掺杂材料和第二掺杂材料分别加入MgO中。
3.如权利要求2所述的保护层，其中第一掺杂材料和第二掺杂材料分别为500ppm～2000ppm。
4.如权利要求1～3中任一项所述的保护层，其中第一掺杂材料是BeO，第二掺杂材料是Sc2O3。
5.如权利要求1～3中任一项所述的保护层，其中第一掺杂材料是BeO，第二掺杂材料是Al2O3。
6.如权利要求1～3中任一项所述的保护层，其中第一掺杂材料是CaO，第二掺杂材料是Sc2O3。
7.如权利要求1～3中任一项所述的保护层，其中第一掺杂材料是CaO，第二掺杂材料是Al2O3。
8.如权利要求1所述的保护层，其中保护层含有不超过30ppm的Fe、不超过50ppm的Al、不超过50ppm的Si、不超过5ppm的Ni、不超过50ppm的Na、以及不超过5ppm的K的杂质。
9.一种形成AC PDP保护层的方法，所述方法包括：
将Mg(OH)2沉积源、选自BeO和CaO或其前体的第一掺杂材料、选自Sc2O3，Sb2O3，Er2O3，Mo2O3和Al2O3或它们的前体的第二掺杂材料均匀混合；
在模具中挤压所述混合物以形成颗粒状材料；
煅烧所述颗粒状材料；
烧结所述颗粒状材料以形成用于形成保护层的沉积源颗粒；和
真空沉积所述颗粒以形成保护层。
10.如权利要求1所述的形成保护层的方法，其中真空沉积通过电子束蒸发、离子电镀、溅射、或化学气相沉积来实施。
11.一种形成AC PDP保护层的方法，所述方法包括：
将Mg(OH)2沉积源、BeO和/或CaO或其前体的第一掺杂材料、选自Sc2O3，Sb2O3，Er2O3，Mo2O3和Al2O3或它们的前体的第二掺杂材料均匀混合；
电弧熔融所述混合物以形成单晶；和
在氢气氛下真空沉积所述单晶以形成保护层。
12.如权利要求11所述的形成保护层的方法，其中真空沉积通过电子束蒸发、离子电镀、溅射、或化学气相沉积来实施。
13.一种包含如权利要求1所述的保护层的AC PDP。
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