[发明专利]超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体组件

权利要求书

1.一种在半导体制程中制作超平坦平面之方法，该方法包含以下步骤：

(a)提供一第一物质，用于形成一第一层；

(b)提供一第二物质，用于在该第一层之一面上形成一第二层；

(c)蚀刻该第二层，用于产生复数个露出该第一层的表面之沟槽；

(d)填充一硬度大于该第一物质及该第二物质之第三物质于该等沟槽中形成复数个抛光停止点；

(e)移除该等沟槽外之该第三物质，而暴露出该第二层之表面；

(f)把第二层之表面粘附于一导电之第四物质上；以及

(g)用机械或化学机械方法磨除第一物质暴露出第二层物质。

2.根据权利要求1的方法，其中(c)步骤中之蚀刻是感应耦合电浆蚀刻。

3.根据权利要求1的方法，其中该第三物质是钻石薄膜、类钻膜、氮化钛类(TiNx)或钛钨合金类(TiWx)。

4.根据权利要求1的方法，其中(e)步骤中之移除是使用氧气气氛之电浆刻蚀，并且其中(g)步骤中之磨除是采用机械研磨或化学机械抛光。

5.一种制造薄膜半导体发光装置之方法，该方法包含以下步骤：

(a)提供一第一物质，用于形成一第一层；

(b)提供一半导体材料之第二物质，用于在该第一层之一面上形成一做为活性区(active region)之第二层；

(c)蚀刻该第二层，用于产生复数个露出该第一层的表面之沟槽；

(d)覆盖一层介质；

(e)填充一硬度大于该第一物质及该第二物质之第三物质于该等沟槽中形成复数个抛光停止点；

(f)提供一第四物质，用于在该第二层之表面上形成一第一电极层；

(g)黏接该第一电极层至一电导式载体上；

(h)移除该第一层；以及

(i)在移除该第一层后之该第二物质之表面上形成复数个第二电极。

6.根据权利要求5的方法，其中该第一物质为蓝宝石。

7.根据权利要求5的方法，其中该第二物质为氮化镓，氮化铟，氮化铝镓铟(AlInGaN)、磷化铝镓铟(AlInGaP)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化砷镓(GaAsP)或磷化砷镓铟，或由上述材料组成之多层结构。

8.根据权利要求5的方法，其中该第三物质是钻石薄膜、类钻膜、氮化钛类(TiNx)或钛钨合金类(TiWx)，或其它超硬材料，其硬度大于第一物质之硬度。

9.根据权利要求5的方法，其中该第四物质为III-V族或II-VI族之半导体材料。

10.根据权利要求5的方法，进一步包含在抛光后之表面上进行表皮粗化的步骤或形成2维光子晶体的步骤。

11.根据权利要求5的方法，其中(c)步骤中之蚀刻是感应耦合电浆蚀刻。

12.根据权利要求5的方法，其中(h)步骤中之移除是使用机械研磨或化学机械抛光。

13.根据权利要求5的方法，其中该第一电极层是P型。

14.根据权利要求5的方法，其中该第二电极是N型。

15.根据权利要求7的方法，其中该多层结构是半导体发光结构。