[发明专利]薄膜太阳能电池模块及其制造方法有效
申请号: | 200710080345.2 | 申请日: | 2007-03-02 |
公开(公告)号: | CN101192617A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 陈麒麟;吴建树 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L21/82;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 包红健 |
地址: | 台湾省新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种能够将太阳辐射转换成电能的装置,其包括:
基板;以及
形成于该基板上的多个电池,上述多个电池的每一者均包括至少一薄膜层并且其尺寸取决于能够形成该至少一薄膜层的机台的薄膜厚度分布。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者的宽度均实质上与对应于该每一电池的薄膜厚度比率成反比,该薄膜厚度比率可以自该机台的薄膜厚度分布获得。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者的宽度与对应薄膜厚度比率的乘积实质上相同。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者的宽度均实质上与对应于该每一电池的短路电流密度成反比,该短路电流密度可以自该机台的薄膜厚度分布获得。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者的宽度与该对应的短路电流密度的乘积实质上相同。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者均包括电极层,并且该电极层的宽度实质上与对应于该每一电池的薄膜厚度比率成反比,该薄膜厚度比率可以自该机台的薄膜厚度分布获得。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者均包括半导体层,并且该半导体层的宽度实质上与对应于该每一电池的薄膜厚度比率成反比,该薄膜厚度比率可以自该机台的薄膜厚度分布获得。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于上述多个电池的每一者均包括底部电极层、半导体层及顶部电极层,并且其中该底部电极层、该半导体层及该顶部电极层的每一者的宽度均实质上与对应于该每一电池的薄膜厚度比率成反比,该薄膜厚度比率可以自该机台的薄膜厚度分布获得。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于该基板包括玻璃基板、塑胶基板、金属基板及陶瓷基板中的一个。
10.一种能够将太阳辐射转换成电能的装置,其包括:
基板;以及
形成于该基板上的N个电池,上述电池的宽度分别为W1至WN,N为整数,上述宽度W1至WN的每一者均实质上与薄膜厚度比率R1至RN中的一个对应薄膜厚度比率成反比,其中上述薄膜厚度比率R1至RN是根据能够在上述N个电池上形成至少一薄膜层的机台的薄膜厚度分布来决定。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于上述N个电池的每一者均包括电极层,其具有实质上与该每一电池相同的宽度。
12.根据权利要求10所述的装置,其特征在于上述N个电池的每一者均包括半导体层,其具有实质上与该每一电池相同的宽度。
13.根据权利要求10所述的装置,其特征在于上述宽度W1至WN都满足以下等式:
W1+W2+...+Wi+...+WN-1+WN=N×W0
其中Wi为具有最大薄膜厚度比率的上述N个电池中的一个的宽度,并且W0为不考虑薄膜厚度分布的电池的宽度。
14.根据权利要求13所述的装置,其特征在于上述宽度W1至WN及上述薄膜厚度比率R1至RN满足以下等式:
Wi(1/R1+1/R2+...+1+...+1/RN-1+1/RN)=N×W0
其中Ri等于1,即最大薄膜厚度比率,其对应于宽度Wi。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的