[发明专利]通过晶片承载器温度偏置来改变晶片表面温度的系统和方法

权利要求书

1.一种晶片承载器，包括：

晶片承载器结构；

由所述晶片承载器结构的第一材料形成的第一表面，所述第一表面包括多个嵌入的晶片间隔室；

与所述晶片承载器结构上的所述第一表面相对设置的第二表面，所述第二表面包括与所述第一材料接合的第二材料层；以及，

所述第二材料基本覆盖除所述第二表面中基本与所述第一表面上的所述多个嵌入的晶片间隔室相对的区域外的全部的所述第二表面。

2.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述第一材料基本覆盖所述第二表面中基本与所述第一表面上的所述多个嵌入的晶片间隔室相对的全部所述区域。

3.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述第一材料选自具有或不具有表面涂层的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、钼、钨以及它们的混合物或合金中的一种或多种。

4.如权利要求3所述的晶片承载器，其特征在于，所述第二材料选自具有或不具有表面涂层的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、钼、钨以及它们的混合物或合金中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述第二表面是平坦的，所述第一表面除所述嵌入晶片间隔室外是平坦的，而所述嵌入晶片间隔室包括用于将晶片安置于其上的台阶式外缘。

6.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述第二材料由多层材料形成，它们中的至少一层不同于所述第一材料。

7.一种晶片承载器，包括：

晶片承载器结构；

其中具有晶片间隔室的第一图案的第一表面，所述第一表面由所述晶片承载器结构的第一材料形成；以及，

与所述晶片承载器结构上的所述第一表面相对设置的第二表面，所述第二表面中设置有第二材料的第二图案，其中所述第二材料的第二图案基本是所述晶片间隔室的第一图案的凹凸反相。

8.如权利要求7所述的晶片承载器，其特征在于，所述第一材料基本以所述第一图案延伸到所述第二表面，而所述第二材料基本以所述第二图案嵌入于所述第二表面中。

9.如权利要求8所述的晶片承载器，其特征在于，所述第一表面除所述晶片间隔室外是平坦的。

10.如权利要求9所述的晶片承载器，其特征在于，所述晶片间隔室包括用于将晶片安置于其上的台阶式外缘。

11.如权利要求8所述的晶片承载器，其特征在于，所述晶片间隔室中具有用于将晶片安置于其中的形状，所述形状选自凹形、锯齿、台阶以及多个支柱的形状。

12.如权利要求7所述的晶片承载器，其特征在于，所述第二材料由多层材料形成，它们中的至少一层不同于所述第一材料。

13.如权利要求7所述的晶片承载器，其特征在于，所述第一材料选自具有或不具有表面涂层的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、钼、钨以及它们的混合物或合金中的一种或多种。

14.如权利要求13所述的晶片承载器，其特征在于，所述第二材料选自具有或不具有表面涂层的石墨、SiC、AlN、Al₂O₃、钼、钨以及它们的混合物或合金中的一种或多种。

15.如权利要求7所述的晶片承载器，其特征在于，所述晶片间隔室在所述晶片承载器的顶面上形成一个环形图案。

16.如权利要求15所述的晶片承载器，其特征在于，所述晶片间隔室在所述晶片承载器的顶面上形成多个环形图案。