[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1. 一种半导体元件，包括：

基底，该基底中具有两个开口；

栅极结构，配置在该两个开口之间的该基底上；

间隙壁，配置在该栅极结构的侧壁，且位于部分该两个开口上方；

具有硼掺杂的第一多晶硅锗层，配置在该基底的该两个开口表面上；以及

具有硼掺杂的第二多晶硅锗层，配置在该第一多晶硅锗层上，且该第二多晶硅锗层的顶部高于该基底的表面，

其中该第一多晶硅锗层的硼浓度低于该第二多晶硅锗层的硼浓度。

2. 如权利要求1所述的半导体元件，更包括至少一层具有硼掺杂的第三多晶硅锗层，其配置于该第一与该第二多晶硅锗层之间，且该第三多晶硅锗层的硼浓度介于该第一与该第二多晶硅锗层的硼浓度之间。

3. 如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一多晶硅锗层的锗含量大于该第二多晶硅锗层的锗含量。

4. 如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一多晶硅锗层的锗含量等于该第二多晶硅锗层的锗含量。

5. 一种半导体元件，包括：

基底，该基底中具有两个开口；

栅极结构，配置在该两个开口之间的该基底上；

间隙壁，配置在该栅极结构的侧壁，且位于部分该两个开口上方；以及

具有硼掺杂的多晶硅锗层，配置在该基底的该两个开口中，而该多晶硅锗层的顶部高于该基底的表面，且该多晶硅锗层具有往该基底方向递减的渐变硼浓度值。

6. 如权利要求5所述的半导体元件，其中该多晶硅锗层具有往该基底方向递增的渐变锗含量值。

7. 如权利要求5所述的半导体元件，其中该多晶硅锗层中的锗含量为固定值。

8. 一种半导体元件的制造方法，包括：

在基底上依序形成栅极氧化层以及栅极导体层；

定义该栅极导体层以及该栅极氧化层，以形成栅极结构；

在该栅极结构的侧壁形成间隙壁；

在该间隙壁两侧的该基底中形成两个开口，且部分该两个开口延伸至该间隙壁下方；以及

在该两个开口中依序形成具有硼掺杂的第一多晶硅锗层与第二多晶硅锗层，而该第二多晶硅锗层的顶部高于该基底的表面，且该第一多晶硅锗层的硼浓度低于该第二多晶硅锗层的硼浓度。

9. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，更包括在该第一与该第二多晶硅锗层之间形成至少一层具有硼掺杂的第三多晶硅锗层，其中该第三多晶硅锗层的硼浓度介于该第一与该第二多晶硅锗层的硼浓度之间。

10. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中该第一多晶硅锗层的锗含量大于该第二多晶硅锗层的锗含量。

11. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中该第一多晶硅锗层的锗含量等于该第二多晶硅锗层的锗含量。

12. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中该第一与该第二多晶硅锗层的形成方法包括化学气相沉积法。

13. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中在该间隙壁两侧的该基底中形成该两个开口的方法包括各向同性蚀刻法。

14. 如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中在该两个开口形成之后，更包括对该两个开口进行预清洗工艺。

15. 一种半导体元件的制造方法，包括：

在基底上依序形成栅极氧化层以及栅极导体层；

定义该栅极导体层以及该栅极氧化层，以形成栅极结构；

在该栅极结构的侧壁形成间隙壁；

在该间隙壁两侧的该基底中形成两个开口，且该两个开口延伸至部分该间隙壁下方；以及

在该两个开口中形成具有硼掺杂的多晶硅锗层，而该多晶硅锗层的顶部高于该基底的表面，且该多晶硅锗层具有往该基底方向递减的渐变硼浓度值。

16. 如权利要求15所述的半导体元件的制造方法，其中该多晶硅锗层具有往该基底方向递增的渐变锗含量值。

17. 如权利要求15所述的半导体元件的制造方法，其中该多晶硅锗层中的锗含量为固定值。