[发明专利]具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管芯片封装结构及其制造方法，尤其涉及一种具有厚导脚(thickness guiding pin)并且不需要弯折导脚的发光二极管芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

请参阅图1所示，其为公知直立式发光二极管芯片封装结构的剖面示意图。由图中可知，公知的直立式发光二极管芯片封装结构包括：绝缘基底1a、导电架2a、发光二极管芯片3a及荧光胶体4a。

其中，该导电架2a具有二个分别沿该绝缘基底1a的两相反侧边弯折两次的导电管脚20a、21a，以使所述导电管脚20a、21a的下端面可与电路板5a产生电接触，并且该导电管脚20a、21a分别具有正电极区域200a及负电极区域210a。

再者，该发光二极管芯片3a具有正电极端300a及负电极端310a，并且该发光二极管芯片3a直接设置在该导电管脚20a上，以使该正电极端300a直接与该导电管脚20a的正电极区域200a产生电接触，而该发光二极管芯片3a的负电极端310a通过导线6a与该导电管脚21a的负电极区域210a产生电连接。

最后，该荧光胶体4a覆盖在该发光二极管芯片3a上，以保护该发光二极管芯片3a。由此，公知的直立式发光二极管芯片封装结构可产生向上投光(如箭头所示)的发光效果。

然而，上述直立式发光二极管芯片封装结构仍有下列几个缺点：

1、所述导电管脚(20a、21a)必须经过弯折才能与电路板(5a)产生接触，因此增加制造工艺的复杂度。

2、由于所述导电管脚(20a、21a)的厚度太薄，因此散热面积过小，而无法达到高散热的优点。

3、由于所述导电管脚(20a、21a)的厚度太薄，因此无法提高电源的供应量，而使得该发光二极管芯片(3a)无法产生较好的发光效果。

由上可知，目前公知不管是直立式或侧式的发光二极管芯片封装结构，显然具有不便与缺点存在，而需加以改善。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，提出本发明。本发明所要解决的技术问题，在于提供一种具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构及其制造方法。因此本发明具有下列优点：

1.本发明的厚导脚不需经过弯折，而能直接与电路板产生接触，因此本发明能简化制造工艺的复杂度。

2.由于采用厚导脚，因此本发明可增加散热面积，而达到高散热的优点。

3.由于采用厚导脚，因此本发明可提高电源的供应量，而使得发光二极管芯片可产生较好的发光效果。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种具有厚导脚(thickness guiding pin)的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其包括：首先，提供金属基材，其具有多个延伸出且悬空(suspended)的导电脚，并且每一个导电脚的下表面具有凹槽；接着，通过绝缘壳体包覆所述导电脚的下表面，以形成用于曝露出每一个导电脚的上表面的射出凹槽(injectionconcave groove)；然后，承载多个发光二极管芯片于该射出凹槽内，并且每一个发光二极管芯片的正、负电极端分别电连接于不同的导电脚；接下来，将封装胶体填充于该射出凹槽内，以覆盖所述发光二极管芯片；最后，切割所述导电脚，以完成该具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制作。

如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该金属基材及所述导电脚是通过蚀刻或冲压技术成形出来的。

如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该金属基材及所述导电脚的表面电镀一层电镀保护层。

如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中每一个导电脚的厚度界于0.4～3mm之间。

如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该绝缘壳体以射出成形的方式包覆所述导电脚的下表面。

如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该绝缘壳体填充于所述导电脚之间的非导电区域，并且每一个导电脚的两端外露于该绝缘壳体的两侧，以利于后续的焊锡步骤。

如上所述的具有厚导脚的发光二极管芯片封装结构的制造方法，其中该封装胶体的材质为环氧树脂或硅胶材料。